[发明专利]具有低介电性绝缘膜的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底(1)；

低介电性膜布线线路层叠结构部分(3)，其设置于所述半导体衬底(1)的除其外围部分之外的一个表面上，且其由包括多个低介电性膜(4)和多个布线线路(5)的层叠结构构成，每个所述低介电性膜的相对介电常数为3.0或更低，且其玻璃化温度为400℃或更高；

至少形成于所述低介电性膜布线线路层叠结构部分(3)的一侧上的绝缘膜(9)；

用于电极的连接焊盘部分，其设置于所述绝缘膜(9)上，以连接至所述低介电性膜布线线路层叠结构部分(3)的最上层布线线路(5)的连接焊盘部分(5a)；

用于外部连接的凸块电极(13)，其设置于所述用于电极的连接焊盘部分上；以及

由有机树脂制成且至少设置于所述绝缘膜(9)在所述用于外部连接的凸块电极(13)周围的部分上的密封膜(14)，

其中所述低介电性膜布线线路层叠结构部分(3)的侧表面被所述绝缘膜(9)和所述密封膜(14)覆盖。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括所述绝缘膜(9)和所述低介电性膜布线线路层叠结构部分(3)之间的由无机材料制成的钝化膜(7)。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述钝化膜(7)和所述低介电性膜布线线路层叠结构部分(3)的对应侧表面基本形成一个平面，并且所述钝化膜(7)和所述低介电性膜布线线路层叠结构部分(3)的所述侧表面被所述绝缘膜(9)覆盖。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述绝缘膜(9)的所述侧表面被所述密封膜(14)覆盖。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中在所述绝缘膜(9)上形成具有所述用于电极的连接焊盘部分的上层布线线路(12)。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中形成在所述上层布线线路

(12)的所述连接焊盘部分上的用于外部连接的所述凸块电极(13)是柱状电极。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中在所述柱状电极(13)上设置焊球(15)。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述低介电性膜(4)包括具有Si-O键和Si-H键的聚硅氧烷基材料、具有Si-O键和Si-CH₃键的聚硅氧烷基材料、掺碳氧化硅以及有机聚合物基低k材料中的一种，或者包括掺氟氧化硅、掺硼氧化硅以及氧化硅中的一种的多孔型。

9.一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：

制备半导体晶片(21)，在所述半导体晶片(21)的一个表面上形成低介电性膜布线线路层叠结构部分(3)，所述低介电性膜布线线路层叠结构部分(3)是层叠低介电性膜(4)和布线线路(5)而成的，所述低介电性膜的相对介电常数为3.0或更低，且其玻璃化温度为400℃或更高；

通过施加激光束去除所述低介电性膜布线线路层叠结构部分(3)在划片道(22)之上的区域和所述划片道的相对两侧上的区域中的部分，并形成暴露出所述低介电性膜布线线路层叠结构部分(3)的侧表面的槽(23)；

形成覆盖所述低介电性膜布线线路层叠结构部分(3)的侧表面的绝缘膜(9)和覆盖所述绝缘膜(9)的侧表面的密封膜(14)；

沿着所述划片道(22)切割所述绝缘膜(9)、密封膜(14)和所述半导体晶片(21)，从而获得多个半导体器件。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中所述形成绝缘膜(9)的步骤是形成由有机树脂制成的、覆盖所述低介电性膜布线线路层叠结构部分(3)的上层部分的绝缘膜(9)的步骤。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的制造方法，还包括如下步骤：

在所述绝缘膜(9)上形成用于电极的连接焊盘部分，并使该连接焊盘部分连接至所述低介电性膜布线线路层叠结构部分(3)的最上层布线线路(5)的连接焊盘部分；以及

在所述用于电极的连接焊盘部分上形成用于外部连接的凸块电极(13)。