[发明专利]顶板以及等离子体处理装置无效
申请号: | 200880000772.8 | 申请日: | 2008-08-20 |
公开(公告)号: | CN101548364A | 公开(公告)日: | 2009-09-30 |
发明(设计)人: | 田才忠;西塚哲也;石桥清隆;野沢俊久 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L21/3065;C23C16/511;H05H1/46 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李 伟;舒艳君 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 顶板 以及 等离子体 处理 装置 | ||
1.一种顶板,设置在可抽真空的处理容器的顶部,能够使从排列 设置的平面天线构件的狭缝中放射出的微波透过到上述处理容器内,其 特征在于,
具有在上述顶板的面对上述处理容器内的一面放射状设置的多个 突起部,
按照在上述顶板的设置了突起部的部分中传播的微波、和在上述顶 板的未设置突起部的部分中传播的微波,所传播的微波的传播模式的种 类的数量不同的方式,分别对上述顶板的设置了突起部的部分的厚度和 上述顶板的未设置突起部的部分的厚度进行设定,
上述狭缝的对在上述平面天线构件中被沿着同心圆排列,
上述突起部的数量与被排列成同心圆状的上述狭缝的对中的在内 侧的同一圆上所排列的上述狭缝的对的数量相等。
2.根据权利要求1所述的顶板,其特征在于,上述突起部的宽度 为在上述顶板中传播的微波的波长的1/10~1/2的范围内。
3.根据权利要求1所述的顶板,其特征在于,三个以上的上述突 起部以上述顶板的中心部为中心,在圆周方向上以等角度放射状地设 置。
4.根据权利要求1所述的顶板,其特征在于,在上述顶板的面对 上述处理容器内的一面,设置有一个或者多个环状突起部。
5.一种等离子体处理装置,其特征在于,具有:
在顶部开口并可抽真空的处理容器;
微波发生部,其发生等离子体发生用的微波,
平面天线构件,其具有多个狭缝,该多个狭缝在上述顶部的开口处 设置,并用于向上述处理容器内导入来自上述微波发生部的微波;
顶板,其气密地设置在上述顶部的开口处,使从上述平面天线构件 的狭缝中放射出的微波透过并导入到上述处理容器内,
在上述顶板的面对上述处理容器内的一面放射状地设置有多个突 起部,
按照在上述顶板的设置了突起部的部分中传播的微波、和在上述顶 板的未设置突起部的部分中传播的微波,所传播的微波的传播模式的种 类的数量不同的方式,分别对上述顶板的设置了突起部的部分的厚度和 上述顶板的未设置突起部的部分的厚度进行设定,
上述狭缝的对在上述平面天线构件中被沿着同心圆排列,
上述突起部的数量与被排列成同心圆状的上述狭缝的对中的在内 侧的同一圆上所排列的上述狭缝的对的数量相等。
6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置,其特征在于,上述 突起部的宽度为在上述顶板中传播的微波的波长的1/10~1/2的范围内。
7.根据权利要求5所述的等离子体处理装置,其特征在于,三个 以上的上述突起部以上述顶板的中心部为中心,在圆周方向上以等角度 放射状地设置。
8.根据权利要求5所述的等离子体处理装置,其特征在于,上述 顶板的面对上述处理容器内的一面设置有以上述顶板的中心部为中心 的一个或者多个环状突起部。
9.根据权利要求5所述的等离子体处理装置,其特征在于,上述 顶板的突起部与上述平面天线构件的狭缝的位置对应地设置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880000772.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种气动夹具
- 下一篇:一种自动夹紧定位及搬运装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造