[发明专利]磁记录介质、磁记录介质的制造方法以及磁记录装置

说明书

技术领域

本发明的一个实施例涉及到一种磁记录介质、一种磁记录介质的制造方法以及一种磁记录装置。

背景技术

近来，在放入硬盘驱动器(HDD)的磁记录介质中，由于相邻磁道间的干扰而影响磁道密度的增加越来越成问题。具体说，一个严重的技术问题是，减小由于磁头所发出的磁场的边缘效应而导致的写模糊。

为了解决这个问题，例如，提出了离散磁道记录型被构图介质(DTR介质)，其中，记录磁道在物理上是隔开的。DTR介质能够减少写入时的擦除邻近磁道信息的边缘擦除现象或读取时的读出邻近磁道信息的边缘读取现象，因此已知可以提高磁道密度。所以，DTR介质有望成为能够提供高记录密度的磁记录介质。

为了用飞行磁头来读写DTR介质，希望能够对DTR介质的表面进行平坦化。特别地，为了使相邻磁道完全隔开，例如，刻蚀约4nm厚的保护层和约20nm厚的铁磁层以形成约24nm深的凹槽，从而形成磁图形。另一方面，由于飞行磁头的设计飞行高度约为10nm，所以，如果留下了很深的凹槽，那么，磁头的飞行就会不稳定。因此，已经试图用非磁性材料去填充磁图形之间的凹槽，以便使介质表面平坦化，从而确保磁头的飞行稳定性。

通常，建议使用下述方法来提供具有平坦表面的DTR介质，即用非磁性材料填充磁图形之间的凹槽。例如，在一种已知的方法中，通过两级偏置溅射，用非磁性材料填充磁图形之间的凹槽以提供具有平坦表面的DTR介质(参见日本专利No.3,686,067)。

然而，本发明人的研究结果表明，当通过偏置溅射用非磁性材料填充磁图形之间的凹槽时，基底偏置所导致的温度升高会使磁记录介质变差或受到影响。另外也发现，在处理期间，偏置溅射会产生灰尘，这些灰尘会粘在介质表面上，从而易于导致磁头的碰撞。

发明内容

根据本发明的一个实施例，提供一种磁记录介质，其特征在于包括：形成在基底上的凸起的磁图形；以及填充在各所述磁图形之间的凹陷处并由含有Ni或Cu以及含有从Ta、Nb、Ti、Zr、Hf、Cr、Mo和Ag中选出来的两种或两种以上金属的多元素非晶合金构成的非磁性材料。根据本发明的另一个实施例，提供一种磁记录介质的制造方法，其特征在于包括：在基底上形成凸起的磁图形；用含有Ni或Cu以及含有从Ta、Nb、Ti、Zr、Hf、Cr、Mo和Ag中选出来的两种或两种以上金属的多元素非晶合金所构成的非磁性材料来填充各所述磁图形之间的凹陷；以及回蚀所述非磁性材料。

附图说明

图1是本发明的一个实施例所述的DTR介质沿着圆周方向的平面图；

图2A到2J是剖面图，显示了本发明的一个实施例所述的DTR介质的制造方法；

图3是本发明的一个实施例所述的磁记录装置的透视图。

具体实施方式

下面将参考附图来描述本发明所述的各种实施例。

图1是本发明的一个实施例所述的DTR介质沿着圆周方向的平面图。如图1所述，沿着DTR介质1的圆周方向交替形成伺服区2和数据区3。伺服区2包括前导码部分21、地址部分22、以及脉冲部分23。数据区3包括离散磁道31。

下面参考图2A到2J来描述本发明的这个实施例所述的DTR介质的制造方法。

在玻璃基底51上相继形成由CoZrNb构成的厚度为120nm的软磁性衬层、由Ru构成的厚度为20nm的用于取向控制的层、由CoCrPt-SiO₂构成的厚度为20nm的铁磁层52、以及由碳(C)构成的厚度为4nm的保护层53。为了简化图示，没有显示所述软磁性衬层和所述取向控制层。在保护层53上通过旋涂法形成厚度为100nm的旋涂玻璃(SOG)作为抗蚀剂54。使压模61面对抗蚀剂54。压模61上的凸起和凹陷图形是图1所示的磁图形的反转(参见图2A)。

进行压印，利用压模61在抗蚀剂54中形成与压模61上的凹陷相对应的凸起54a(图2B)。

进行刻蚀，利用ICP(电感耦合等离子体)刻蚀设备去掉留在被构图抗蚀剂54上的凹陷底部处的抗蚀剂残留物。该处理的条件为：例如，使用CF₄作为处理气体，将腔压设置为2mTorr，将线圈FRO功率和压盘FRO功率分别设置为100W，将刻蚀时间设置为30秒(图2C)。