[发明专利]密封用膜及使用其的半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及填充性和密封性优异的密封膜及使用其的半导体装置。更详细地，本发明涉及具有保护功能和填充性、用于半导体芯片的保护和填充、通过控制填充时的流动性而使填充性、密合性、形状维持性更优异的密封用膜以及使用其的半导体装置。

背景技术

一直以来，电子设备的小型化·轻量化都在不断发展，与此相伴的是，要求对基板的高密度安装，搭载在电子设备的半导体封装的小型化、薄型化、轻量化也在不断发展。以往，有被称作LOC(Lead On Chip：芯片上引线封装)和QFP(Quad Flat Package：四边扁平封装)等的封装，正在开发比LOC和QFP等封装更加小型化·轻量化的μBGA(Ball Grid Array：球栅阵列)和CSP(Chip Size Package：芯片尺寸封装)等封装。也在开发半导体元件的电路面面向半导体配线基板侧的、所谓的倒装型封装即倒装芯片封装、WL-CSP(WaferLevel Chip Size Package：晶圆级芯片尺寸封装)等。

上述的封装，通过利用传递成型法将固态的环氧树脂密封材料成型，来得到密封封装，但是封装为薄型或大型时成型就比较难。另外，当无机填料的含量增大时，通常传递成型时的熔融粘度增高，这会产生如下问题，即，成型时残留空隙、模槽填充不良、线流出量和级移位(stage shift)的增大等和成型物的品质降低等问题。

另外，近年，倒装芯片、WL-CSP等中有具有突起状电极的制品，为了保护其突起部和填充突起之间而经常使用密封材料，但用固态的环氧树脂密封材料进行填充是很难的。因此，有人提出了以环氧树脂、无机填料为主体的密封膜(例如，参照日本特开平5-283456号公报、日本特开平5-190697号公报、日本特开平8-73621号公报、日本特开2005-60584号公报)。

发明内容

但是，当使用以往的密封膜，来密封例如具有突起状电极的封装或对密封后的形状有限制的封装时，有时难以控制流动性，不能满足填充性和密封性。

本发明的目的在于提供具有保护功能和填充性、用于半导体芯片的保护和填充、通过控制填充时的流动性而使填充性、密合性、形状维持性更优异的密封用膜以及使用其的半导体装置。

本发明以如下(1)～(9)所记载的事项为特征。

(1)一种具有树脂层的密封膜，所述树脂层含有下述(A)、(B)和(C)，并且在80℃的流出量为150～1800μm。

(A)树脂成分，其中，包含：含有交联性官能团、重均分子量为10万以上且Tg为-50～50℃的高分子量成分(a1)；以环氧树脂为主成分的热固性成分(a2)，

(B)平均粒径为1～30μm的填料，

(C)着色剂。

(2)一种具有树脂层的密封用膜，所述树脂层含有下述(A)、(B)和(C)，并且B阶状态的膜的热固化粘弹性测定中的50～100℃的粘度为10000～100000Pa·s。

(A)树脂成分，其包含：含有交联性官能团、重均分子量为10万以上且Tg为-50～50℃的高分子量成分(a1)；以环氧树脂为主成分的热固性成分(a2)，

(B)平均粒径为1～30μm的填料，

(C)着色剂。

(3)根据上述(1)所述的密封用膜，其中，相对于所述(A)树脂成分含有5～85质量％的所述高分子量成分(a1)和15～95质量％的所述热固性成分(a2)的树脂10质量份，含有1～300质量份的所述(B)填料、0.01～10质量份的所述(C)着色剂。

(4)根据上述(1)或(2)所述的密封膜，其中，所述(A)树脂成分含有5～80质量％的所述高分子量成分(a1)、15～85质量％的所述热固性成分(a2)。

(5)根据上述(4)所述的密封用膜，其中，相对于所述(A)树脂成分10质量份，含有1～300质量份的所述(B)填料、0.01～10质量份的所述(C)着色剂。

(6)根据上述(1)～(5)中任一项所述的密封膜，其中，在所述树脂层的单面上进一步具有厚度5～300μm的基材层，并且所述树脂层的厚度为5～800μm。

(7)根据上述(1)～(5)中任一项所述的密封膜，其中，在所述树脂层的一个面上具有厚度5～300μm的基材层，在所述树脂层的另一个面上具有厚度5～300μm的保护层，并且，所述树脂层的厚度为5～800μm。

(8)根据上述(1)～(7)中任一项所述的密封膜，其中，所述(B)填料为无机填料。