[发明专利]位置偏移检测装置以及使用了该装置的处理系统

说明书

技术领域

本发明涉及对半导体晶圆等被处理体实施规定处理的处理系统以及该处理系统所用的位置偏移检测装置。 

背景技术

通常在制造IC等那样的半导体集成电路时，必须在硅基板等半导体晶圆的表面反复进行成膜、氧化扩散、蚀刻、退火等各种处理。此时，为了提高处理效率，使进行各处理的处理室与1个共用输送室相连结，即所谓的集簇(cluster tool)装置化，一边以使晶圆在各处理室间运动的方式输送晶圆，一边进行一系列的上述那样的处理。 

图11是表示上述那样的以往处理系统的一个例子的概略结构图。如图所示，该处理系统2是借助闸阀G使多个、在此为4个处理室6A～6D分别与例如可抽成真空的共用输送室4相连结而构成的。在各处理室6A～6D内设有在其上表面载置晶圆的载置台8A～8D。 

另外，加载互锁真空(load lock)室10A、10B借助闸阀G与该共用输送室4相连结，并且该加载互锁真空室10A、10B的相反侧借助闸阀G与装载室12相连结。在上述装载室12的一侧面设有用于设置在晶圆盒等容器中收容的未处理的晶圆的加载装置(load port)14。然后，在上述装载室12、共用输送室4内设有由可回转以及可伸缩的多关节臂构成的输送机构16、18，利用该输送机构16、18保持晶圆W来输送晶圆W。 

此时，利用输送机构16、18保持晶圆W来输送晶圆W时，为了防止输送中途的晶圆与其他构件发生干扰、碰撞，必须将 该晶圆W高精度、且无位置偏移地保持在输送机构16、18的顶端的拾取部16A、18A上的适当位置上。因此，在使用以往的处理系统的情况下，例如如图11所示，在上述共用输送室内固定地设置多个位置偏移检测传感器20，来检测被输送机构保持的晶圆W的位置偏移(专利文献1～4)。 

专利文献1：日本特开平10-223732号公报 

专利文献2：日本特开平10-247681号公报 

专利文献3：日本特开2002-43394号公报 

专利文献4：日本特开2004-140147号公报 

但是，在使用上述那样的位置偏移检测传感器20的情况下，由于是将位置偏移检测传感器20固定地设置在共用输送室内，所以在该位置偏移检测传感器20不位于晶圆W的输送路径上的情况下，必须以特意使晶圆的输送路径迂回而通过检测传感器20上的方式进行位置偏移的检测，因此这成为导致晶圆W的输送路径变长从而使生产率下降的原因。另外，为了防止生产率的下降，有时并不是在所有的输送操作上都利用位置偏移检测传感器20来检测位置偏移，而是只在进行个别输送操作时检测位置偏移，此时，在未进行检测位置偏移的输送操作时，有时在产生较大的位置偏移时晶圆会发生碰撞，缺乏可靠性。 

另外，还有如下方法：将位置偏移检测传感器20设置在上述所有处理室的前方从而在将晶圆自处理室搬出时始终检测位置偏移，但在使用该结构时，必须设置多个位置偏移检测传感器20，这存在导致成本增高这样的问题。 

并且，还有如下问题：相对于上述装载室12的输送机构16，装载室12内并未足够地存在充裕的空间，因此无法设置位置偏移检测传感器20。

发明内容

本发明是着眼于上述那样的问题、并为了有效解决上述问题而做成的。本发明的目的在于提供在互相串联连接的一部分的臂部上设置边缘检测部件、从而能够利用简单的构造不会使生产率下降地简易地检测被处理体的位置偏移的位置偏移检测装置以及使用了该位置偏移检测装置的处理系统。 

技术方案1的发明是一种检测被处理体的位置偏移的位置偏移检测装置，其设置在将多个臂部可互相回转地串联连接起来、并使最顶端的臂部保持被处理体来输送上述被处理体的输送机构上，其特征在于，该位置偏移检测装置包括边缘检测部件和位置偏移检测部；上述边缘检测部件设置在上述多个臂部中的除了上述最顶端的臂部以外的臂部上，用于检测至少被保持在上述最顶端的臂部上的上述被处理体的边缘；上述位置偏移检测部根据该边缘检测部件的检测值求出上述被处理体的位置偏移。 

这样，通过在互相串联连接的一部分的臂部上设置边缘检测部件，能够利用简单的构造不会使生产率下降地简易地检测被处理体的位置偏移。 

此时，例如，如技术方案2所述，上述边缘检测部件由互相分离地设置的2个光电传感器构成。