[发明专利]布线基板无效

专利信息
申请号: 200880000180.6 申请日: 2008-03-26
公开(公告)号: CN101543143A 公开(公告)日: 2009-09-23
发明(设计)人: 朝日俊行;岛崎幸博;越后文雄 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H05K1/02 分类号: H05K1/02;H05K7/20
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 段承恩;杨光军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 布线
【权利要求书】:

1.一种用以安装电子部件的布线基板,其具备:

绝缘基材,其具有用以安装所述电子部件的上表面和所述上表面的相反侧的下表面;

导体图案,其用以连接所述电子部件,并形成在所述绝缘基材的所述上表面;

第一热辐射层,其由覆盖所述导体图案的第一热辐射材料形成;以及树脂层,其设置在所述导体图案上,

所述第一热辐射材料的温度T在293K以上且在473K以下时的波长λ=0.002898/T的电磁波的辐射率在0.8以上,所述第一热辐射层设置在所 述树脂层上,

所述树脂层的6.1μm以上9.9μm以下波长的电磁波的反射率在10%以下。

2.根据权利要求1所述的布线基板,其中,

所述第一热辐射层设置在所述导体图案上。

3.根据权利要求2所述的布线基板,其中,

所述第一热辐射层部分地设置在所述导体图案上。

4.根据权利要求2所述的布线基板,其中,

所述第一热辐射层也位于所述绝缘基材的所述上表面上。

5.根据权利要求1所述的布线基板,其中,

所述第一热辐射层也覆盖所述绝缘基材的所述上表面。

6.根据权利要求1所述的布线基板,其中,

所述第一热辐射材料的9.0μm以上9.5μm以下波长的电磁波的平均辐射率比6.5μm以上7.0μm以下波长的电磁波的平均辐射率高。

7.根据权利要求1所述的布线基板,其还具备:

第二热辐射层,其由设置在所述绝缘基材的所述下表面上的第二热辐射材料形成,

所述第二热辐射材料的温度T在293K以上且在473K以下时的波长λ=0.002898/T的电磁波的辐射率在0.8以上,

所述第二热辐射材料的9.0μm以上9.5μm以下波长的电磁波的平均辐射率比所述第一热辐射材料的9.0μm以上9.5μm以下波长的电磁波的平均辐射率高。

8.根据权利要求7所述的布线基板,其还具备:

第三热辐射层,其由设置在所述电子部件的表面上的第三热辐射材料形成,

所述第三热辐射材料的温度T在293K以上473K以下时的波长λ=0.002898/T的电磁波的辐射率在0.8以上。

9.根据权利要求1所述的布线基板,其中,

所述第一热辐射材料含有在温度T在293K以上473K以下时、波长λ=0.002898/T的电磁波的辐射率在0.9以上的绝缘体粒子或半导体粒子中的至少任意一方。

10.根据权利要求1所述的布线基板,其中,

所述导体图案以从所述绝缘基材的所述上表面露出的方式埋入所述绝缘基材的所述上表面。

11.根据权利要求1所述的布线基板,其还具备:

第二热辐射层,其由设置在所述电子部件的表面上的第二热辐射材料形成,

所述第二热辐射材料的温度T在293K以上473K以下时的波长λ=0.002898/T的电磁波的辐射率在0.8以上。

12.一种用以安装电子部件的布线基板,其具备:

绝缘基材,其具有用以安装所述电子部件的上表面和所述上表面的相反侧的下表面;

导体图案,其用以连接所述电子部件,并形成在所述绝缘基材的所述上表面;以及

热辐射层,其选择性地设置在所述导体图案上,并含有5.0vol%以上的N型半导体粒子。

13.根据权利要求12所述的布线基板,其中,

所述热辐射层含有5.0vol%以上95vol%以下的N型半导体粒子。

14.根据权利要求12所述的布线基板,其中,

所述热辐射层部分地设置在所述导体图案上。

15.根据权利要求12所述的布线基板,其中,

所述导体图案以从所述绝缘基材的所述上表面露出的方式埋入所述绝缘基材的所述上表面。

16.根据权利要求12所述的布线基板,其中,

所述N型半导体粒子的平均粒径在0.1μm以上20μm以下。

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