[发明专利]磁盘用玻璃基板的表面加工方法和磁盘用玻璃基板

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于硬盘等的磁盘用玻璃基板的表面加工方法以及磁盘用玻璃基板。 

背景技术

磁盘工作中存在于产生最大拉伸应力的基板内周部端面的损伤，是影响磁盘用玻璃基板的机械强度的要素之一，着眼于此，专利文献1：特开平7-230621号公报公开了至少需对内周部端面进行蚀刻处理，使其达到规定的表面粗糙度。用三维测长SEM进行测定时，在基准长度240μm、Ra截止波长80μm的情况下，专利文献1中所记载的玻璃基板的内周部或外周部端面的粗糙度在任意选择的至少4个部位的Ra平均值为1.0～6.0μm，峰顶数量的平均值为8～30个。 

专利文献2：发明专利第3527075号公报公开了为了防止磁盘用玻璃基板中引起热粗糙的粒子发生，需将玻璃基板的表面粗糙度控制在规定范围内。该技术方案的直接目的并不是提高玻璃基板的机械强度，而是提供一种内周端面部(倒角、侧壁)的表面粗糙度Ra不到1μm、Rmax在0.010～4μm(10～4000nm)之间的玻璃基板。 

而且，如专利文献2所记载的(0010段落)：“在施行化学蚀刻(化学研磨)的状态下，玻璃基板的端面会成为喷砂状态的面，用化学蚀刻来处理玻璃基板的端面等这些现有技术中所采取的端面处理水平是不足够的，……(省略)……而且，如果施行化学蚀刻，玻璃基板的内周端面和外周端面之间容易产生偏芯的问题，在这点上对玻璃基板的端面施行化学蚀刻也存在着问题。”因此化学研磨存在着一些问题。 

另一方面，作为提高磁盘用玻璃基板的机械强度的方法，有化学  强化处理这一方法。化学强化处理是指，例如将玻璃基板浸渍到加热至400～500℃左右高温的、以硝酸钾盐为主要成分的熔融盐浴中，将其保持0.5～12个小时左右，通过玻璃基板表层的Na离子与硝酸钾盐的K离子的离子交换来进行的方法。即是指，通过将玻璃中离子半径小的Na离子用离子半径大的K离子进行置换，对最表层施加压缩应力来进行强化。虽然磁盘用玻璃基板的主表面镀有用于磁记录的磁性膜，但由于这种化学强化处理，会产生在玻璃基板的表层上浓化的K离子使磁性膜腐蚀的问题。另外，进行化学强化处理，还有相当耗时费力及必须增加成本等问题。 

专利文献1：特开平7-230621号公报 

专利文献2：发明专利第3527075号公报 

以往，众所周知机械强度有随蚀刻深度(化学研磨深度)的增大而增强的倾向。而且，作为这种蚀刻量(由化学研磨而产生的表层研磨除去的深度)，例如如根据专利文献1中记载的，需将蚀刻深度控制在5～25μm，优选10～30μm左右的范围内(0039段落)，以往如果不将蚀刻量提高到10μm以上就无法得到足够的机械强度。 

但是，如果将蚀刻量提高到10μm以上，就会出现加工尺寸精度下降，圆度出现偏差的问题，因此希望将蚀刻量控制在低于5μm。如果将蚀刻量控制在低于5μm，蚀刻所造成的加工尺寸精度下降，圆度出现偏差的问题就能得到解决。 

发明内容

本发明的目的在于制造出一种玻璃基板，所述玻璃基板不进行会给磁性膜带来有害影响且高成本的化学强化处理，以少量的蚀刻量而具有足够的机械强度(圆环强度10kgf以上)。 

此外，本发明的目的还在于制造出一种玻璃基板，所述玻璃基板不进行化学强化处理和化学研磨而具有所需最低限度(圆环强度5kgf)以上的机械强度。 

本发明的第一技术方案为一种磁盘用玻璃基板的表面加工方法，基特征在于，通过对圆环状磁盘用玻璃基板的内周部端面进行机械研磨，使其表面粗糙度以Rmax表示为9nm以下，随后，对该内周部端面进行化学研磨，将其表层研磨除去2μm以上。 

通过第一工序的机械研磨，对玻璃基板的内周部端面的表面粗糙度进行以往没有的镜面加工。本发明人发现通过这种镜面加工，即使将第二工序中化学研磨的研磨深度比以往减小，也能得到可足够实用化的圆环强度。此外，化学研磨的研磨深度在小于2μm的情况下，可能无法得到足够的机械强度(圆环强度10kgf以上)。 

此外本发明的第二技术方案为一种磁盘用玻璃基板的表面加工方法，其特征在于，通过对圆环状磁盘用玻璃基板的内周部端面以及外周部端面进行机械研磨，使其表面粗糙度以Rmax表示为9nm以下，随后，对该内周部端面以及外周部端面进行化学研磨，将其表层研磨除去2μm以上。