[实用新型]侧面发光二极管有效
申请号: | 200820213658.0 | 申请日: | 2008-11-19 |
公开(公告)号: | CN201289864Y | 公开(公告)日: | 2009-08-12 |
发明(设计)人: | 孙平如 | 申请(专利权)人: | 深圳市聚飞光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 518000广东省深圳市宝安*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 侧面 发光二极管 | ||
技术领域
本实用新型属于发光二极管,尤其涉及一种侧面发光二极管。
背景技术
如图1所示,目前市场常见的侧面发光二极管,其腔室11具有倾斜的侧壁12,于腔室11的底部设置有芯片13,芯片13射出的光线可从侧壁12反射至腔室11外。其中,腔室11的深度大于芯片13的安装高度,且不超过该安装高度的六倍,可以为0.2mm~0.48mm。
近年来,由于侧面发光二极管逐渐向薄型的产品进化,腔室11底部短边尺寸进一步受限、较窄,导致芯片13的侧面射出的光能量损失较大,亮度受到限制;同时,因为腔室11长边直斜面之影响,侧面发光二极管角落处的光线较小,亮度较低,所以发光表面的均匀性较差。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是,提供一种侧面发光二极管,能够提高出光亮度,并且使出光更加均匀。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供一种侧面发光二极管,其具有腔室,于所述腔室的底部设置有芯片,所述腔室的内壁从底部往顶部延伸,形成可将所述芯片发射的光线反射至所述腔室外的凹形曲面。
腔室内的芯片射出的光线,从凹形曲面反射至腔室外,与现有技术中侧壁为直倾斜面相比,该凹形曲面可以使光线的反射角度增大,从而使芯片的侧面光的出光更多,提高了出光的亮度;同时,反射角度增大还使该侧面发光二极管腔室的出光位置更邻近角落,提高了出光的均匀性。
附图说明
图1是现有技术提供的一种侧面发光二极管的剖视示意图;
图2是本实用新型实施例提供的一种侧面发光二极管的长边剖视示意图;
图3是图2所述侧面发光二极管的短边剖视示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
请参阅图2,本实用新型实施例提供一种侧面发光二极管,包括封装件本体10,本体10具有腔室4,该腔室4的底部设置有引线框架2,引线框架2的一部份延伸到该封装件本体10外面形成导电电极。于腔室4内安装有LED芯片3,其通过电连接到引线框架2上。腔室4中填充有密封剂6,密封剂6可以是透明胶,也可以是由透明胶水与多种荧光粉的混合体。
上述腔室4的侧壁从底部往顶部延伸形成凹形曲面5,利用该凹形曲面5,可将芯片3发射的光线反射至腔室4外。该凹形曲面5可以由数个斜面组合而成,各斜面之间的夹角大于90度。这样,夹角大于90度的倾斜面之间逐一连接,形成的凹形曲面5,可将芯片3发出的光线反射于腔室4外,相比现有技术中的直倾斜面的反射角,其反射角增大。
请一同参阅图2和图3,本实施例中,凹形曲面5包括垂直面51和与垂直面51连接的倾斜面52,倾斜面52设置于底部,与腔室4底部连接。由于增加了垂直面51,使倾斜面52的终点可以更低,而起点位置不变,因此直倾斜面52与腔室4底部之间的夹角增大,从而增大了光线的反射角。
其中,腔室4的深度可以设置为0.20mm~0.35mm,而垂直面51的高度为0.02~0.15mm,使腔室4的体积加大。垂直面51与倾斜面52之间具有弧形过渡面53,过渡面53的半径为垂直面51高度的0.1~0.3倍,使垂直面51往倾斜面52过渡平缓,保证出光的均匀性。
此外,上述凹形曲面5还可以为弧度小于90度的圆弧,或其他形状的凹形曲面,只要能够将光线反射至腔室4外,且增大反射角均在本实用新型的保护范围之内。
因此,腔室4内的芯片3射出的光线,从凹形曲面5反射至腔室4外,与现有技术中侧壁为直倾斜面相比,该凹形曲面5可以使光线的反射角度增大,从而使芯片3的侧面光的出光更多,提高了出光的亮度;同时,反射角度增大还使该侧面发光二级极管腔室的出光位置更邻近角落,提高了出光的均匀性,使得背光源的均匀性更好。此外,采用凹形曲面5后,还使腔室4的空间增大,更容易放置芯片3,及填充密封剂更易于精确控制。
本实用新型实施例提供的侧面发光二极管主要应用于移动通讯终端机、可视电话、MP3、MP4、车载DVD、NB等产品之薄型全彩背光屏。在背光领域,与传统CCFL光源相比,LED拥有固态、环保、节能功耗低、安全、轻薄、色彩表现更好、LED的色域更广,色饱和度可以做到105%以上,而相反CCFL是比较窄的,大部分只能做到70%左右。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
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