[实用新型]侧面发光二极管有效
申请号: | 200820213658.0 | 申请日: | 2008-11-19 |
公开(公告)号: | CN201289864Y | 公开(公告)日: | 2009-08-12 |
发明(设计)人: | 孙平如 | 申请(专利权)人: | 深圳市聚飞光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 518000广东省深圳市宝安*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 侧面 发光二极管 | ||
1、一种侧面发光二极管,具有腔室,于所述腔室的底部设置有芯片,其特征在于:所述腔室的侧壁从底部往顶部延伸,形成可将所述芯片发射的光线反射至所述腔室外的凹形曲面。
2、如权利要求1所述的侧面发光二极管,其特征在于:所述凹形曲面由数个斜面组合而成,各所述斜面之间的夹角大于90度。
3、如权利要求2所述的侧面发光二极管,其特征在于:所述凹形曲面包括垂直面和与所述垂直面连接的倾斜面,所述倾斜面设置于底部。
4、如权利要求3所述的侧面发光二极管,其特征在于:所述垂直面的高度为0.02mm~0.15mm。
5、如权利要求3所述的侧面发光二极管,其特征在于:所述垂直面与倾斜面之间具有弧形过渡面,所述过渡面的半径为垂直面高度的0.1~0.3倍。
6、如权利要求1所述的侧面发光二极管,其特征在于:所述凹形曲面为弧度小于90度的圆弧。
7、如权利要求1-6任一项所述的侧面发光二极管,其特征在于:所述腔室的深度为0.2mm~0.35mm。
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