[实用新型]复合电容

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子元器件，更具体地说，涉及一种复合电容。

背景技术

随着电气、电子及信息设备的广泛运用，电磁干扰问题日益严峻，其中开关电源因其自身工作原理原因，电磁发射问题更尤为突出，电容滤波是抑制与减少这种电磁干扰的重要措施。理想电容没有寄生电阻和寄生电感，然而实际上，电容的寄生电阻和电感不可能为零，因此将严重影响到高频阻抗的大小。

因此，需要一种复合电容，能够有效地降低其高频阻抗大小，拓宽电容的应用频段。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题在于，针对现有技术的电容存在寄生电容和寄生电感，从而影响高频阻抗大小的缺陷，提供一种复合电容，能够有效地降低其高频阻抗大小，拓宽电容的应用频段。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种复合电容，包括低频电容和叠层电容，所述低频电容的第一引脚与所述叠层电容的上表面电连接，所述低频电容的第二引脚与所述叠层电容的下表面电连接。

在本实用新型所述的复合电容中，所述复合电容进一步包括第一穿心电容，所述第一穿心电容的导电外壳与所述叠层电容的下表面电连接，所述第一穿心电容的第一穿心引脚与所述低频电容的第一引脚电连接。

在本实用新型所述的复合电容中，所述复合电容进一步包括第二穿心电容，所述第二穿心电容的导电外壳与所述叠层电容的上表面电连接，所述第二穿心电容的第二穿心引脚与所述低频电容的第二引脚电连接。

在本实用新型所述的复合电容中，所述复合电容进一步包括第一绝缘固定物和第二绝缘固定物，所述第一绝缘固定物设置在所述叠层电容的上表面，所述第二绝缘固定物设置在所述叠层电容的下表面。

在本实用新型所述的复合电容中，所述叠层电容的上表面包括第一引脚孔和用于焊接所述第二穿心电容的第一焊接部，所述第一焊接部中心设有第二引脚孔。

在本实用新型所述的复合电容中，所述叠层电容的下表面上与所述第一引脚孔对应位置设有第三引脚孔，所述第三引脚孔周围设有用于焊接第一穿心电容的第二焊接部，所述叠层电容的下表面上与所述第二引脚孔对应位置设有第四引脚孔。

在本实用新型所述的复合电容中，所述叠层电容的下表面上与所述第一引脚孔对应位置设有第三引脚孔，所述第三引脚孔周围设有第二焊接部，所述叠层电容的下表面上与所述第二引脚孔对应位置设有第四引脚孔。

在本实用新型所述的复合电容中，所述第一穿心引脚包括与所述叠层电容的上表面上的印刷电路板铺铜部电连接并水平向外延伸的第一弯折部，所述第二穿心引脚包括与所述叠层电容的下表面上的印刷电路板铺铜部电连接并水平向外延伸的第二弯折部。

在本实用新型所述的复合电容中，所述第一引脚包括与所述叠层电容的上表面上的印刷电路板铺铜部电连接并水平向外延伸的第一弯折部，所述第二引脚包括与所述叠层电容的下表面上的印刷电路板铺铜部电连接并水平向外延伸的第二弯折部。

实施本实用新型的复合电容，具有以下有益效果：能够有效地降低其高频阻抗大小，拓宽电容的应用频段。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，附图中：

图1是本实用新型的复合电容的第一实施例的结构示意图；

图2是本实用新型的复合电容的第二实施例的结构示意图；

图3是现有技术的低频电容的等效电路图；

图4是实用新型的复合电容的第一实施例的等效电路图；

图5是本实用新型的复合电容的穿心电容的结构示意图；

图6是本实用新型的复合电容的叠层电容的第一实施例的结构示意图；

图7是本实用新型的复合电容的叠层电容的第二实施例的结构示意图。

具体实施方式

本实用新型通过在将叠层电容或者是叠层电容和穿心电容与低频电容封装在一起，形成新的复合电容。该电容利用穿心、叠层电容的高频阻抗特性，配合低频电容的低频阻抗特性，减小了低频电容的高频阻抗大小，拓宽了原电容的应用频段。

如图1所示，在本实用新型复合电容的第一实施例的结构示意图中，所述复合电容包括低频电容1和叠层电容2，所述低频电容1的第一引脚6与所述叠层电容2的上表面21电连接，所述低频电容1的第二引脚5与所述叠层电容2的下表面22电连接。图3和图4分别示出了现有技术的低频电容和本实用新型的复合电容的第一实施例的等效电路图。其中C表示集总电容参数，R表示寄生电阻，L表示寄生电感，引入参数C1表示叠层电容。