[实用新型]变压器改良结构无效
| 申请号： | 200820176869.1 | 申请日： | 2008-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN201311813Y | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 吕志平;姜智森 | 申请（专利权）人： | 力铭科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F27/02 | 分类号： | H01F27/02;H01F27/30 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人： | 曾旻辉;胡 杰 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 变压器 改良 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种变压器改良结构，其特征在于，包括有：
壳体，其表面设置有相邻的一次侧绕线槽与二次侧绕线槽，该一次侧绕线槽与二次侧绕线槽相对外侧分别设置有导线架，该导线架外侧各设置有端子，在该一次侧绕线槽表面设置有引线区，且该一次侧绕线槽与相邻的导线架之间设置有缓冲区；
该二次侧绕线槽上绕设有二次侧绕线，该二次侧绕线一端经由引线区而绕过一次侧绕线槽，再于该缓冲区内将该二次侧绕线集束捻线而加粗，最后固定到一次侧绕线槽外的端子上，通过该避线区与缓冲区的设计，使该二次侧绕线不会直接受到一次侧绕线的压迫。
2.如权利要求1所述的变压器改良结构，其特征在于：所述缓冲区是在一次侧绕线槽与相邻导线架之间凹陷形成。
3.如权利要求1所述的变压器改良结构，其特征在于：所述避线区是在一次侧绕线槽表面以阶梯状下陷边缘形成。
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