[实用新型]新型太阳电池等离子刻蚀模具无效
申请号: | 200820168516.7 | 申请日: | 2008-11-20 |
公开(公告)号: | CN201289861Y | 公开(公告)日: | 2009-08-12 |
发明(设计)人: | 俞相明;周晓兵 | 申请(专利权)人: | 浙江向日葵光能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/68;H01L21/687;H01L21/3065 |
代理公司: | 绍兴市越兴专利事务所 | 代理人: | 蒋卫东 |
地址: | 312071浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 新型 太阳电池 等离子 刻蚀 模具 | ||
技术领域
本实用新型公开了一种新型太阳电池等离子刻蚀模具,属于太阳电池刻蚀设备技术领域。
背景技术
太阳电池实际上是一个面积比较大的非线性PN结,在制作过程中,需要将扩散工序中形成的硅边缘P-N结去除,否则,将导致电极正负极之间并联电阻过小,影响电池的输出特性。大规模生产中,一般用四氟化碳在高频电场中电离出氟离子与Si反应生成SiF4的方式来去除边缘PN结。
现有的太阳电池等离子刻蚀模具,主要由底盘、底板、盖板、加压装置组成。刻蚀时,先将底板置于底盘上,再将数片硅片叠层置于底板上,接着于最顶端的硅片上放置盖板,再用加压装置通过盖板对整叠硅片进行压紧,最后充入四氟化碳气体进行刻蚀,以去除边缘PN结。
实践证明,现有的太阳电池等离子刻蚀模具存在以下几个缺点:
1.位于下端部分的硅片,尤其是底端部分的硅片,存在刻蚀不全、不均匀的问题;
2.加压装置不能准确控制整叠硅片的压力,致使产品性能不一,成品率低;
3.现有的太阳电池等离子刻蚀模具,由于缺少定位系统,使得底板及硅片在底盘上的定位工序缓慢,且由于定位不够精确,整叠硅片经加压装置作用后,易出现压力不均的现象,致使硅片刻蚀环出现大小不一的情况,从而导致产品性能不一致、成品率低。
实用新型内容
为了克服上述缺点,本实用新型提供了一种刻蚀速度快、成品率高、产品性能统一的新型太阳电池等离子刻蚀模具。
为了实现上述目的,本实用新型所采用的技术方案为:
一种新型太阳电池等离子刻蚀模具,包括底盘、底板、盖板,安装在底盘上方的加压装置,还包括安装在底盘上的定位系统,该定位系统包括一个L型定位块,三个定位柱,两个定位销;其中,第一、第二两定位柱由上而下竖直排列固定安装在L型定位块的竖直部上,第三定位柱固定安装在L型定位块的横向部上;位于第一、第二两定位柱之间的竖直部上开设有与定位销相配合的通孔,且定位销底端延伸至通孔外;位于第三定位柱左侧的横向部上开设有与另一定位销相配合的另一通孔,且定位销底端延伸至通孔外;
所述加压装置包括一对立柱、加压条、螺栓、数控扭力扳手,加压条水平设置在立柱的上端,加压条中间开设有与螺栓相配合的螺孔,且螺孔中心线垂直于加压条;所述盖板的中心开设有容纳槽;数控扭力扳手与螺栓相配合;
所述底盘与底板之间设置有不少于三个的支撑柱,且所有支撑柱等高。
作为上述方案的进一步设置,所述竖直部与横向部的连接处呈圆弧面。
所述位于第一、第二两定位柱之间的竖直部向外凸出,形成一凸台,通孔设置于凸台中间。
所述加压条同侧的左右两端,分别开设有一凹槽;两个立柱的上端分别开设有一沟槽,且两个沟槽可分别对应嵌套于两个凹槽内。
所述凹槽呈倒U型;沟槽呈圆环型。
所述支撑柱固定安装于底盘上。
所述支撑柱为三个,且均匀分布于底盘上。
所述支撑柱为圆柱体。
所述底盘呈圆形。
所述L型定位块,三个定位柱,两个定位销选用不锈钢制成;加压条选用铝合金制成,底板、盖板、立柱选用不锈钢制成;支撑柱选用不锈钢制成。
采用上述方案后,本实用新型将L型定位块与三个定位柱及两个定位销有效的结合起来,形成了一个适合用作太阳电池等离子刻蚀模具的定位系统,该定位系统定位速度快、精确,从整体上提高了硅片的刻蚀速度及成品率;通过结合立柱、加压条、螺栓、数控扭力扳手以及中心开设有容纳槽的盖板,实现了精确控制整叠硅片压力的目的,使产品性能一致,成品率高;在底盘与底板之间设置有不少于三个的支撑柱,且所有支撑柱等高,如此设计以后,支撑柱将底盘与底板之间隔离开一定的距离,有利于刻蚀气体(如四氟化碳气体)环流通过整叠硅片,使整叠硅片的边缘PN结,全面、均匀的被刻蚀完全,尤其解决了位于底端部分的硅片,刻蚀不全、不均匀的问题。
总之,本实用新型刻蚀速度快、成品率高、产品性能统一。
以下结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步说明。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图;
图2为图1中定位系统的结构示意图;
图3为图2撤掉两个定位销后的平面视图;
图4为图1中加压装置的结构示意图;
图5为图4中加压条的结构示意图;
图6为本实用新型的部分结构示意图;
图7为本实用新型工作状态示意图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的