[实用新型]多层焊接结构有效

专利信息
申请号: 200820156342.2 申请日: 2008-11-21
公开(公告)号: CN201294124Y 公开(公告)日: 2009-08-19
发明(设计)人: 董湧;潘杰兵 申请(专利权)人: 瑞侃电子(上海)有限公司
主分类号: H01C7/02 分类号: H01C7/02;H01C7/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 王新华
地址: 200233上海市漕*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 多层 焊接 结构
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及多层焊接结构,尤其涉及一种具有该多层焊接结构的高分子PTC热敏电阻。

背景技术

现实中常常需要提供一种多层焊接结构,该多层焊接结构包括:一个或多个中间层,每一个中间层的两个侧面分别设置有正极和负极;每一个中间层的两个侧面分别与两个导电覆盖层焊接,所述导电覆盖层的至少一个侧面与正极或负极电连接,在所述中间层为多个的情况下,所述中间层之间并联连接。但是,导电覆盖层与中间层之间的焊锡或焊膏难以控制,即焊锡或助焊剂容易在导电覆盖层与中间层之间自由流动而在中间层边缘处外溢、堆积。

高分子PTC热敏电阻可以作为多层焊接结构的一个具体示例。高分子热敏电阻在一定的温度范围内,其自身的电阻率会随温度升高而增大。具体地,在较低温度时,高分子热敏电阻呈现较低的电阻率,而当温度升高到其高分子聚合物熔点附近,也就是达到所谓的“关断”温度时,其电阻率急剧升高。高分子PTC热敏电阻可以用于电路的过流保护设置。

一般而言,高分子PTC热敏电阻包括高分子PTC芯片,所述高分子PTC芯片的两个侧面上分别贴覆有第一电极与第二电极;和分别覆盖并焊接到第一电极与第二电极的两个导电覆盖层。但是,同样存在的问题是,导电覆盖层与高分子PTC芯片之间的焊锡或焊膏难以控制,即焊锡或助焊剂容易在导电覆盖层与高分子PTC芯片之间自由流动而在高分子PTC芯片边缘处外溢、堆积。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题

现有技术中的多层焊接结构的焊接层之间的焊锡或焊膏难以控制从而焊锡或助焊剂容易在焊接层之间自由流动而容易在焊件边缘处外溢、堆积而污染多层焊接结构的侧面。对于高分子PTC热敏电阻,这种外溢、堆积容易造成例如作为薄型材料的导电覆盖层之间的绝缘等级下降、甚至焊锡桥接等故障;在高分子PTC芯片厚度偏薄的情况下,这种故障尤其多发。

解决技术问题的技术方案

旨在克服现有技术中存在的缺陷和不足的至少一个方面,尤其是减少因为焊料和助焊剂外溢、堆积所造成的故障,提出本实用新型提以控制和引导焊料和助焊剂在焊接过程中的流动。

本实用新型提出了一种多层焊接结构,其包括一个或多个中间层,每一个中间层的两个侧面分别设置有正极和负极;每一个中间层的两个侧面分别与两个导电覆盖层焊接,所述导电覆盖层的至少一个侧面与正极或负极电连接,在所述中间层为多个的情况下,所述中间层之间并联连接,其中至少一个导电覆盖层的邻近中间层的边缘的周边部上设置有用于容纳和/或引导焊接过程中溢出的焊料的容纳引导部。

优选地,所述容纳引导部为浅沟槽。

优选地,所述容纳引导部为形成在至少一个导电覆盖层上的斜面,所述斜面在多层焊接结构的厚度方向远离中间层倾斜。

优选地,所述多层焊接结构还包括边缘涂层,所述边缘涂层在导电覆盖层覆盖并焊接到中间层的两个侧面上之后涂覆在所述多层焊接结构的四周边缘部分。

优选地,所述导电覆盖层中至少两个导电覆盖层向外延伸形成便于与正极和负极电连接的引出端。

优选地,所述中间层为高分子PTC芯片。

技术效果

本实用新型通过更改多层焊接结构中至少一个导电覆盖层的结构,例如在导电覆盖层周边部上设置浅沟槽或凹部、或者在导电覆盖层周边部边缘设置在多层焊接结构的厚度方向远离中间层倾斜的斜面,可以容纳焊接过程中溢出的焊料和助焊剂,阻止焊料和助焊剂进一步外溢,从而防止出现导电覆盖层之间的绝缘等级下降、甚至焊料桥接的现象,从而提高此类焊接结构的成品率。对于高分子PTC热敏电阻而言,可以确保高分子PTC材料电性能不因电极装配问题而受到影响。

附图说明

通过参照附图详细描述本实用新型的实施例,本实用新型将变得更加清楚,其中:

图1是根据本实用新型的一种实施方式的多层焊接结构的立体图;

图2是图1中的多层焊接结构的分解视图;

图3是图2中的导电覆盖层的正视图,其中在该导电覆盖层的周边部设置有沟槽;

图4是根据本实用新型的另一实施例的导电覆盖层的示意图;

图5是根据本实用新型的另一实施例的多层焊接结构的局部视图;

图6是设置有边缘涂层的多层焊接结构的示意图;

图7是根据本实用新型又一实施例的具有两层中间层的多层焊接结构的分解示意图;和

图8是图7中的多层焊接结构的部件组装在一起的立体图。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞侃电子(上海)有限公司,未经瑞侃电子(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200820156342.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top