[实用新型]一种双排双列的三极管引线框架版件

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体电子元器件的制造技术领域，尤其指一种用于三极管元器件的引线框架分立器件制造技术。

背景技术

半导体电子元器件的外形虽然简单，但其制造技术相当复杂，科技含量高，而且呈现出明显的专业化分工格局，例如芯片厂只负责芯片的制造，引线框架厂只负责引线框架的制造，封装厂只负责元器件的封装。目前，市场上常见的三极管引线框架版件多由单个引线框架通过导脚连接筋和边带相互连接而成，而承载芯片的芯片岛角端未设连接部件，故该类产品在应用过程往往会由于芯片岛角端的碰撞受力而产生变形，从而使封装后的三极管成品合格率大大降低。另外随着原材料涨价和能源成本上升，现有的单排引线框架版件的制造利润急骤下降，为此人们期盼发明一种芯片岛角端不易受力而变形、生产效率高、产品质量好的三极管引线框架版件产品。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是克服现有同类产品存在的芯片岛易变形以及生产效率不高的缺陷和不足，向社会提供一种芯片岛角端不易受力而变形、生产效率高、产品质量好的三极管引线框架版件产品；该产品封装后，具有引线框架基材与塑料封料结合力强、密封防水防潮性能好的优点。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：双排双列的三极管引线框架版件，由包含引线框架的多个相同基本单元经两侧的边带沿轴向连续排列而成；所述引线框架设有承载芯片的芯片岛、中间导脚和两个侧导脚；所述每个基本单元设有呈上下双排和左右双列设置的四个引线框架；所述四个引线框架的导脚与边带相连接，所述四个引线框架的芯片岛角端设有连接筋；所述连接筋厚度薄于芯片岛厚度，其连接部的两表面对称设有V型槽。

所述芯片岛贴片区边缘横向贯穿有V型凹槽，贴片区外侧设半腰形缺口；所述芯片岛背面均布有多条垂直的V型刻槽；所述引线框架的两个侧导脚根部两表面设有多条V型槽，其靠近芯片岛的焊接区内设有通孔。

本实用新型双排双列的三极管引线框架版件，每个基本单元设有上下双排和左右双列引线框架，因此不但生产效率提高，而且作为过渡件的边带的耗材量大幅下降。应用本产品封装时，所述引线框架的芯片岛角端设有连接筋加固，不易受力而变形；封装后，塑料封料包覆于所述芯片岛外侧的半腰形缺口，填充并镶嵌于多个V型凹槽、V型刻槽和通孔，从而将芯片牢牢固定于芯片岛，大大增强了引线框架基材与塑料封料的结合力，可有效防止分层现象的产生，有助于提高导脚的密封性和防水防潮性能，从而使最终的成品抗机械冲击和耐热疲劳强度明显提升，产品使用寿命延长。完成芯片封装后，只需用手沿轴向掰折几下即形成单排的三极管引线框架版件，免除了传统的机械切边工序，制造生产更加方便。本产品广泛适用于大功率MOS管系列领域。

附图说明

图1是本实用新型引线框架版件结构示意图。

图2是本实用新型基本单元结构示意图。

图3是图2的左视图。

图4是本实用新型引线框架后视图。

图5是图3的A部放大图。

图6是图3的B部放大图。

图7是图3的C部放大图。

具体实施方式

如图1至图3所示的TO系列大功率三极管引线框架产品为例，本实用新型双排双列的三极管引线框架版件，由包含引线框架4的多个相同基本单元1经两侧的边带2沿轴向连续排列而成；所述引线框架4设有承载芯片的芯片岛6、中间导脚5和两个侧导脚7；所述每个基本单元1设有呈上下双排和左右双列设置的四个引线框架4；所述四个引线框架4的导脚与边带2相连接，所述四个引线框架4的芯片岛角端设有连接筋3。

如图2、图4和图6所示，所述芯片岛6贴片区边缘横向贯穿有V型凹槽11，外侧设半腰形缺口12；所述芯片岛6背面均布有多条垂直的V型刻槽10。如图5所示，所述连接筋3的厚度明显薄于芯片岛6厚度，其连接部的两表面对称地设有V型槽9。如图4和图7所示，所述引线框架4的两个侧导脚7根部两表面设有多条V型槽13，其靠近芯片岛6的焊接区14内设有通孔8。

下面继续结合附图，简述本实用新型产品的工作原理。根据封装厂的设计要求，在配备有对应模具的轧机中加工出合格的三极管引线框架版件产品，由于本产品的每个基本单元1设有上下双排和左右双列引线框架4，因此不但生产效率提高，而且作为过渡件的边带2的耗材量大幅下降。应用本产品封装时，塑料封料包覆于所述芯片岛6外侧的半腰形缺口12，填充并镶嵌于靠近芯片岛贴片区横向贯穿的V型凹槽11和背面均布的多条V型刻槽10，从而将芯片牢牢固定于芯片岛6，大大增强了引线框架基材与塑料封料的结合力，可有效防止分层现象的产生；塑料封料也同时填充并镶嵌于所述引线框架4侧导脚7根部的V型槽和焊接区14内通孔，有助于提高导脚的密封性和防水防潮性能，从而使最终的成品抗机械冲击和耐热疲劳强度明显提升，产品使用寿命延长。完成芯片封装后，由于所述连接筋3厚度明显薄于芯片岛6厚度，且其连接部的两表面对称地设有V型槽9，故只需用手沿轴向掰折几下，所述连接筋3的V型槽9因应力集中面产生裂痕并断开，形成单排的三极管引线框架版件，免除了传统的机械切边工序，制造生产更加方便。