[实用新型]升降结构改良无效
申请号: | 200820126287.2 | 申请日: | 2008-08-22 |
公开(公告)号: | CN201274288Y | 公开(公告)日: | 2009-07-15 |
发明(设计)人: | 周士杰 | 申请(专利权)人: | 可士达科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿 宁;张华辉 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 升降 结构 改良 | ||
1、一种升降结构改良,其特征在于其包括有:
一底座,其中央处是设置一穿孔,且该底座的一侧是活动设有一固定杆;
一限位单元,设置于底座的一面上,其包含一结合于底座上的座体,该座体上是具有一与穿孔对应的对应孔,且座体相邻的二侧是活动设有一第一L型板,该第一L型板的一侧缘是具有一与固定杆嵌接的嵌接部,并在该座体相邻的另外二侧与第一L型板外侧分别设置至少二支柱,各支柱的二端是分别设置一滚轮,该二滚轮上是环设有一传动件;
一活动座,是活动设置于限位单元一面上,其包含一层叠于座体上的载板,该载板相邻的二侧是活动设有一第二L型板,且该载板相邻的另外二侧与第二L型板外侧是分别结合于传动件上;以及
一承板,是层叠于载板的一面上。
2、根据权利要求1所述的升降结构改良,其特征在于其中所述的限位单元的座体是配合多数固定组件与底座结合。
3、根据权利要求1所述的升降结构改良,其特征在于其中所述的座体相邻的另外二侧与第一L型板外侧是分别设有至少二缺口,而所述的支柱是分别配合固定组件固设于各缺口中。
4、根据权利要求1所述的升降结构改良,其特征在于其中所述的座体的一侧是具有一延伸部,而所述第一L型板是配合一轴体与延伸部活动结合。
5、根据权利要求1所述的升降结构改良,其特征在于其中所述的传动件为一履带。
6、根据权利要求1所述的升降结构改良,其特征在于其中所述的载板相邻的另外二侧与第二L型板外侧是分别配合固定组件结合于传动件上。
7、根据权利要求1所述的升降结构改良,其特征在于其中所述的载板的一侧是具有一延伸部,而所述第二L型板是配合一轴体与延伸部活动结合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造