[实用新型]真空腔室和具有该真空腔室的基板传送系统无效
| 申请号: | 200820105233.8 | 申请日: | 2008-04-11 |
| 公开(公告)号: | CN201274284Y | 公开(公告)日: | 2009-07-15 |
| 发明(设计)人: | 斯里兰·克里士纳瓦米;洪·T·纽恩;乔治·曾;马提亚·布伦纳 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 空腔 具有 传送 系统 | ||
技术领域
在此所述的实施方式主要涉及一种用于传送基板进出配置以容纳多块基 板的腔室的方法和系统。
背景技术
在平板显示器的制造过程中,大面积基板的半导体工艺包括通常在真空腔 室中执行的诸如沉积、蚀刻以及测试等多个工艺。大面积基板通常由大气/真 空界面传送进出真空腔室,该界面有时候称为加载互锁真空腔室(load lock chamber),其提供大气压与真空腔室内压力之间的分级真空。在一些系统中, 加载互锁真空腔室可配置成耦接于常压排队系统与真空腔室之间,用于进行常 压到真空的交换。类似地,已处理的基板可经过传送腔室传送出真空腔室至常 压条件下。
为了能有更高的通过量(throughput),通常这些传送腔室的尺寸设计为同 时容纳两块基板。然而,由于大面积基板(2200mm×2400mm以及更大尺寸) 的尺寸,每个传送循环期间,这些基板中至少一块的尺寸需要大的内部空间, 其必须被抽气降压和排气。当该内部空间设计成大于一块基板的尺寸时,传送 腔室的内部空间甚至更大。该大内部空间引起抽气降压时间的难题,原因在于 需要多个低真空泵以在短时间周期内完成抽气降压。
因此,需要一种能容纳占据最小腔室空间的多块大面积基板的系统,使得 该腔室能利用相同数目的泵进行负加压,从而使抽气降压和排气时间最短,其 能使成本最小化并增加通过量。
发明内容
本发明主要包含一种用于传送基板进出配置成容纳多块基板的腔室的方 法和系统。
在一个实施方式中,描述了设计尺寸以容纳至少两块大面积基板的真空腔 室。该真空腔室包括具有内部空间的外壳,以及设置在所述内部空间中的第一 支撑托架(support tray)和第二支撑托架。所述第一和第二支撑托架的每一个 都包含多个基本平行并隔开的支撑构件,该支撑构件限定耦接到设置在第二水 平平面中的底部部分的第一水平平面,该第二水平平面不同于所述第一水平平 面,其中所述第一支撑托架的尺寸大于所述第二支撑托架。
在另一实施方式中,描述了一种基板传送系统。该基板传送系统包括具有 至少一个进入孔的腔室外壳,其中所述腔室外壳包括第一基板支撑托架和与所 述第一基板支撑托架平行的第二基板支撑托架,其中所述第一和第二基板支撑 托架沿着垂直轴单独移动。该腔室外壳还包括基板输送装置,其移动进出所述 腔室外壳以在所述基板输送装置和所述第一与第二基板支撑托架任一之间传 送基板,其中所述第一基板支撑托架和第二基板支撑托架彼此相对移动到部分 所述第二基板支撑托架嵌套在所述第一基板支撑托架中的位置,以减小所述外 壳的内部空间。
在另一实施方式中,描述了一种传送大面积基板的方法。该方法包括将所 述基板放置在基板输送装置上,移动所述基板输送装置进入具有基板支撑结构 的加载互锁真空腔室中,其中所述基板支撑结构包括沿着垂直轴单独移动的至 少第一基板支撑托架和第二基板支撑托架。该方法还包括操作所述基板支撑结 构以将基板从所述基板输送装置传送到第一和第二基板支撑托架的任一个,其 中操作所述基板支撑结构包括相对于所述第二基板支撑托架将所述第一基板 支撑托架移动到其中部分所述第二基板支撑托架嵌套在所述第一基板支撑托 架中的位置,以减小所述加载互锁真空腔室的内部空间。
附图说明
为了能详细理解本发明的上述特征,现在将参照部分在附图中示出的实 施方式对本发明的以上概述进行详细描述。然而,应该注意到附图仅示出了本 发明的典型实施方式,因此不应理解为对本发明范围的限制,因为本发明可称 为其它等效实施方式。
图1根据一个实施方式的加载互锁真空腔室的侧视图;
图2是适于在根据实施方式的图1的加载互锁真空腔室内使用的基板支 架的等轴视图;
图3-6是示出根据一个实施方式的第一基板传送循环的实施例的示意图;
图7-10是示出根据另一实施方式的第二基板传送循环的实施例的示意 图;
图11-13是示出根据另一实施方式的第三基板传送循环的实施例的示意 图;
图14-17是示出根据另一实施方式的第四基板传送循环的实施例的示意 图;
图18是在根据另一实施方式的图1中示出的部分腔室的侧部剖视图;
图19是加载互锁真空腔室的另一实施方式的等轴视图;以及
图20是在图18中示出的部分腔室的侧部剖视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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