[实用新型]真空腔室和具有该真空腔室的基板传送系统无效
| 申请号: | 200820105233.8 | 申请日: | 2008-04-11 |
| 公开(公告)号: | CN201274284Y | 公开(公告)日: | 2009-07-15 |
| 发明(设计)人: | 斯里兰·克里士纳瓦米;洪·T·纽恩;乔治·曾;马提亚·布伦纳 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 空腔 具有 传送 系统 | ||
1、一个尺寸设计为容纳至少两块大面积基板的真空腔室,其特征在于, 所述真空腔室包含:
具有内部空间的外壳;以及
设置在所述内部空间中的第一支撑托架和第二支撑托架,其中所述第一和 第二支撑托架的每一个都包含:
多个基本平行并隔开的支撑构件,其限定耦接到设置在第二水平平面中的 底部部分的第一水平平面,所述第二水平平面不同于所述第一水平平面,其中 所述第一支撑托架的尺寸大于所述第二支撑托架以减小所述外壳的内部空间。
2、根据权利要求1所述的真空腔室,其特征在于,所述支撑构件的每一 个都包括终止在所述底部部分处的弯曲部分。
3、根据权利要求1所述的真空腔室,其特征在于,所述第一和第二支撑 托架的每一个都耦接两个致动器。
4、根据权利要求1所述的真空腔室,其特征在于,所述第一和第二支撑 托架的每一个都耦接四个致动器。
5、根据权利要求1所述的真空腔室,其特征在于,一个或多个所述支撑 构件包括设置在该构件上表面上的支撑销,以将所述基板与所述支撑构件隔 开。
6、根据权利要求1所述的真空腔室,其特征在于,所述外壳具有适于容 纳所述第一和第二支撑托架至少其中之一的所述底部部分的凹槽。
7、根据权利要求1所述的真空腔室,其特征在于,当所述第一支撑托架 和所述第二支撑托架彼此靠近时,所述第二支撑托架以嵌套关系与所述第一支 撑托架啮合。
8、根据权利要求1所述的真空腔室,其特征在于,所述真空腔室是加载 互锁真空腔室。
9、一种尺寸设计为容纳至少两块大面积基板的真空腔室,其特征在于, 所述真空腔室包含:
具有内部空间的外壳;以及
设置在所述内部空间中并基本平行的第一支撑托架和第二支撑托架,其中 所述第一和第二支撑托架的每一个都包含:
多个基本平行并隔开的支撑构件,其限定耦接到设置在第二水平平面 中的底部部分的第一水平平面,所述第二水平平面不同于所述第一水平平面, 其中所述第一支撑托架的尺寸大于所述第二支撑托架以减小所述外壳的内部 空间,以及
耦接到所述支撑托架另一侧的升降机构。
10、根据权利要求9所述的真空腔室,其特征在于,所述支撑构件的每一 个都包括终止在所述底部部分处的弯曲部分。
11、根据权利要求9所述的真空腔室,其特征在于,一个或多个所述支撑 构件包括设置在该构件上表面上的支撑销。
12、根据权利要求9所述的真空腔室,其特征在于,所述外壳具有适于容 纳所述第一和第二支撑托架至少其中之一的所述底部部分的凹槽。
13、根据权利要求9所述的真空腔室,其特征在于,所述升降机构包含单 一致动器。
14、根据权利要求9所述的真空腔室,其特征在于,所述升降机构包含两 个致动器。
15、一种基板传送系统,其特征在于,所述基板传送系统包含:
具有至少一个进入孔的腔室外壳,其中所述腔室外壳包括第一基板支撑托 架和与所述第一基板支撑托架平行的第二基板支撑托架,其中所述第一和第二 基板支撑托架沿着垂直轴单独移动;以及
基板输送装置,其移动进出所述腔室外壳以在所述基板输送装置和所述第 一与第二基板支撑托架任一之间传送基板,其中所述第一基板支撑托架和第二 基板支撑托架彼此相对移动到部分所述第二基板支撑托架嵌套在所述第一基 板支撑托架中的位置,以减小所述外壳的内部空间。
16、根据权利要求15所述的系统,其特征在于,至少所述第一基板支撑 托架包括多个横向隔开的支撑构件,该支撑构件配置以在其之间容纳部分所述 基板输送装置。
17、根据权利要求16所述的系统,其特征在于,所述支撑构件的每一个 都包括弯曲以与所述支撑构件正交的角度连接到底部框架的两个相对端部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





