[实用新型]一种锑化铝透明薄膜太阳电池无效
| 申请号: | 200820061642.2 | 申请日: | 2008-01-07 |
| 公开(公告)号: | CN201156545Y | 公开(公告)日: | 2008-11-26 |
| 发明(设计)人: | 李卫;冯良桓;吕彬;蔡亚平;张静全;黎兵;武莉莉;雷智;郑家贵;孙震;谢晗科 | 申请(专利权)人: | 四川大学 |
| 主分类号: | H01L31/072 | 分类号: | H01L31/072 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 610064四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 锑化铝 透明 薄膜 太阳电池 | ||
【权利要求书】:
1.一种锑化铝透明薄膜太阳电池,在玻璃上,顺序沉积CTO透明导电薄膜、ZTO薄膜、窗口层CdS薄膜、吸收层、透明导电背接触层、Ni/Al栅线和MgF2减反膜,其特征是:透明薄膜太阳电池的吸收层为p型AlSb,透明导电背接触层为p型单壁碳纳米管涂层。
2.根据权利要求1所述的锑化铝透明薄膜太阳电池,其特征是:CdS窗口层可以为纳米结构,也可以为非纳米结构。
3.根据权利要求1所述的的锑化铝透明薄膜太阳电池,其特征是:玻璃可以是硼硅玻璃,也可以是铝硅玻璃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





