[实用新型]组合型内存散热装置

说明书

技术领域

本实用新涉及一种电信技术的散热装置，尤指一种附着于内存两侧且具有较佳散热效能的组合型内存散热装置。

背景技术

在当前服务器用FB-DIMM(全缓冲内存模组)内存中，在FB-DIMM内存上增加了一枚体积较大的缓冲芯片，它的名称为“Advanced Memory Buffer(高级内存缓存，简称AMB)，并在缓冲芯片的两侧排列有数个体积较小的芯片。在内存工作时，缓冲芯片会释放较大热量，使得该部分的温度达到80-100℃，周围芯片的温度也可达到50-70℃。在这样的温度状况下，必须采用辅助散热方式来帮助内存散热。

目前市场上的内存散热装置-大都采用一体成型的铝金属片。首先，铝的导热系数相对较低，不利于整个散热片的热量传递，可供选择的材料还有金属铜，铜的导热系数比铝大很多，但是铜的价格相对昂贵，不满足经济要求。其次，这种一体式的散热片，由于加工限制，使得散热片只与缓冲芯片上的DIE接触，大大减小了换热面积，因此，对于这种具有中央缓冲芯片的内存而言，现有市场上的散热装置并不能有效降低内存、特别是中央缓冲芯片部位的温度，有待改善。

实用新型内容

本实用新型针对现有技术的不足，提出一种增大中央缓冲芯片区域换热面积并采用不同材料的组合型内存散热装置，克服背景技术中的不足。

本实用新型是通过以下技术方案实现的，本实用新型所述的组合型内存散热装置，它夹制于具有中央缓冲芯片的内存两侧，包括一与内存正面相接触的前散热片、一与内存背面相接触的后散热片和一嵌套在前散热片内与中央缓冲芯片相接触的散热块。前散热片上设有一凹槽，散热块嵌入其中，散热块与中央缓冲芯片紧密接触。

所述散热块上设有两个凹坑，其中一个保证缓冲芯片上突起的DIE(中央芯片)与散热块接触良好，另一个凹坑用于隔开中央缓冲芯片上外露针脚与散热块。

所述前散热片和后散热片与内存之间粘贴有具有缓冲作用的片状导热胶。

所述散热块和缓冲芯片的接触面上涂有膏状的导热胶。

所述前散热片、后散热片两侧设有安装定位用扣部和扣槽。

所述前散热片、后散热片上方扣入一对夹制散热片的夹持件。

所述散热块采用导热系数高、价格相对昂贵的金属，如铜。

所以前散热片和后散热片采用导热系数和价格相对较低的金属，如铝。

与现有技术相比，本实用新型的优点是：本实用新型在一定程度上解决了成本和效能的矛盾，与中央缓冲芯片接触的铜制散热块，可及时将缓冲芯片产生的热量向散热片传导，由于该散热块体积较小，并不会对整个散热装置带来较大成本附加。同时，该铜制散热块表面加工的凹坑，可有效增大温度最高区域的换热面积。这样，可较大幅度降低中央缓冲芯片的温度，并减少热量向两侧芯片的传递。另外，本实用新型所述铜制散热块，在成本允许的情况下可增大体积向两侧延伸，同中央缓冲芯片两侧的芯片进行接触，进一步提高散热能力。

附图说明

图1代表本实用新型散热装置的分解图。

图2代表本实用新型散热装置中前散热片与散热块的分解图和组合图；

其中2a为分解图，2b为组合图。

图3代表本实用新型散热装置中前散热片、散热块与内存的分解图和组合图；

其中3a为分解图，3b为组合图。

图4代表本实用新型散热装置与内存的组合图；

其中4a为前散热片侧，4b为后散热片侧。

图5代表本实用新型散热装置中散热块的另外实施例；

其中5a和5b分别为不同的散热块结构方案；

图号说明：11 前散热片，111 置散热块凹坑，112 定位扣部，12 后散热片，121 定位扣槽，13 内嵌散热块，131 置外露针脚凹坑，132 置DIE凹坑，14 夹持件，15 内存，151 中央缓冲芯片，152 外露针脚，153 DIE(中央芯片)，161 内嵌散热块替代结构一，162 内嵌散热块替代结构二。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的实施例作详细说明：本实施例在以本实用新型技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本实用新型的保护范围不限于下述的实施例。