[实用新型]气体反应室监测窗

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种气体反应室结构，特别是涉及一种气体反应室的监测窗结构。

背景技术

等离子体工艺被广泛应用于半导体制造工艺中，如去胶、刻蚀和淀积等。而等离子体处理过程往往于密闭的气体反应室中进行，该反应室中往往设有相对的上下极板，而半导体晶片便被置放于下极板上；而后向反应室中注入气体并提供能量，使气体电离以形成等离子体；等离子体便可作用于下极板上的半导体晶片上，完成对其处理。

为了更好的监测等离子体处理过程以控制其结束时点，往往于气体反应室的侧壁上设置透光的监测窗并于反应室外监测窗附近设置感测器。则反应室内等离子体的发射光谱便可经由监测窗为感测器所感测，从而根据此光谱控制处理过程的结束时点。

然而在处理过程中，等离子体往往会对监测窗表面造成污染与损伤，而不得不经常清理或更换监测窗。为此，往往于监测窗的设计中增加一块保护板，例如是蓝宝石盖板，来减少监测窗的损伤，即于监测窗的透光板上，例如是石英板，增设一块蓝宝石盖板。而现有技术中往往通过特制的胶带将保护板粘贴到透光板上。然而在等离子体的作用下，胶带逐渐失去粘性，而使得保护板掉落甚至损坏。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种气体反应室的检测窗，以解决现有技术中保护板易于损伤的问题。

本实用新型的另一目的在于提供一种气体反应室，以解决现有技术中保护板易于损伤的问题。

为此本实用新型提供一种气体反应室监测窗，其包括：一窗体，其具有相对的两个边沿且该两边沿上分别形成有滑槽；一保护盖板，其相对的两边缘位于上述滑槽内。

进一步的，上述保护盖板为蓝宝石盖板。

进一步的，上述保护盖板位于上述两滑槽所定义的平面内并于该平面内沿与滑槽平行的方向抽取。

进一步的，上述两滑槽相互平行。

进一步的，上述滑槽的宽度略大于保护盖板的厚度。

本实用新型另提供一种气体反应室，其侧壁上形成有至少一通孔，该气体反应室包括：至少一反应室监测窗，嵌入上述气体反应室侧壁的通孔内，该监测窗包括：一窗体，其具有相对的两个边沿且该两边沿上分别形成有滑槽；一保护盖板，其相对的两边缘位于上述滑槽内。

进一步的，上述监测窗具有保护盖板的一侧穿过通孔而与反应室内的气体接触。

进一步的，上述保护盖板为蓝宝石盖板。

进一步的，上述保护盖板位于上述两滑槽所定义的平面内并于该平面内沿与滑槽平行的方向抽取。

综上所述，本实用新型所提供的反应室监测窗于窗体两边沿上设计滑槽，而通过此滑槽来限制保护盖板，克服了先前技术中由于胶带逐渐失去粘性而使得保护盖板掉落甚至损坏的问题；同时保护盖板易于拆卸，方便了其清理。

附图说明

图1为本实用新型一实施例所提供的气体反应室截面示意图；

图2为本实用新型一实施例所提供的气体反应室监测窗的截面示意图。

具体实施方式

下面参照附图并结合实施例对本实用新型进行详细的描述。

请参考图1和图2，其分别为本实用新型一实施例所提供的气体反应室以及其监测窗的截面示意图。

如图所示，该气体反应室由上壁10、下壁20和侧壁30构成一个气体反应空间，且于上壁10以及下壁20上分别设有上下极板B1和B2，半导体晶片便可置放于下极板B2上；而后通过上极板B1向反应室中注入气体并提供能量，使气体电离以形成等离子体；等离子体便可作用于下极板B2上的半导体晶片，完成对其处理。为了监测等离子体处理过程以控制其结束时点，于侧壁30上形成通孔H并将反应室监测窗40嵌入其中，而使等离子体所产生的光通过反应室监测窗40为感测器50所感测，从而根据等离子体的光谱控制处理过程的结束时点。

如图2，检测窗40包括窗体41和保护盖板42。其中窗体41具有相对的两个边沿411和412，其上分别形成有滑槽S1和S2，保护盖板42相对的两边缘位于滑槽S1和S2内。于是在滑槽S1和S2的限制下，保护盖板42便被固定于两滑槽S1和S2所定义的平面内并于该平面内沿与滑槽平行的方向抽取。从而克服了先前技术中由于胶带逐渐失去粘性而使得保护盖板掉落甚至损坏的问题；同时保护盖板易于拆卸，方便了其清理。

其中保护盖板42应为透光材料所构成，且其具有滤除一定波长的光的作用，在此可选用蓝宝石盖板。

另外，滑槽S1和S2相互平行，且其宽度略大于保护盖板42的厚度。而方便保护盖板42于其中抽取。