[实用新型]气体反应室监测窗有效
| 申请号： | 200820056565.1 | 申请日： | 2008-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN201188414Y | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 顾琛;刘亮 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01J37/02;H01J37/244;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 气体 反应 监测 | ||
【权利要求书】：
1.一种气体反应室监测窗，其特征是，包括：
一窗体，其具有相对的两个边沿且该两边沿上分别形成有滑槽；
一保护盖板，其相对的两边缘位于上述滑槽内。
2.根据权利要求1所述的气体反应室监测窗，其特征是，其中上述保护盖板为蓝宝石盖板。
3.根据权利要求1所述的气体反应室监测窗，其特征是，其中上述保护盖板位于上述两滑槽所定义的平面内并于该平面内沿与滑槽平行的方向抽取。
4.根据权利要求1所述的气体反应室监测窗，其特征是，其中上述两滑槽相互平行。
5.根据权利要求1所述的气体反应室监测窗，其特征是，其中上述滑槽的宽度略大于保护盖板的厚度。
6.一种气体反应室，其侧壁上形成有至少一通孔，其特征是，包括：
至少一反应室监测窗，嵌入上述气体反应室侧壁的通孔内，该监测窗包括：
一窗体，其具有相对的两个边沿且该两边沿上分别形成有滑槽；
一保护盖板，其相对的两边缘位于上述滑槽内。
7.根据权利要求6所述的气体反应室，其特征是，其中上述监测窗具有保护盖板的一侧穿过通孔而与反应室内的气体接触。
8.根据权利要求6所述的气体反应室，其特征是，其中上述保护盖板为蓝宝石盖板。
9.根据权利要求6所述的气体反应室，其特征是，其中上述保护盖板位于上述两滑槽所定义的平面内并于该平面内沿与滑槽平行的方向抽取。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
