[实用新型]晶粒尺寸可控的多晶硅薄膜制备及检测装置无效

专利信息
申请号: 200820055759.X 申请日: 2008-02-27
公开(公告)号: CN201165564Y 公开(公告)日: 2008-12-17
发明(设计)人: 楼祺洪;袁志军;周军;董景星;魏运荣;赵宏明 申请(专利权)人: 中国科学院上海光学精密机械研究所
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B28/02
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 代理人: 张泽纯
地址: 201800上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 晶粒 尺寸 可控 多晶 薄膜 制备 检测 装置
【权利要求书】:

1、一种晶粒尺寸可控的多晶硅薄膜制备及检测装置,其特征在于由激光源(1)、分光器(2)、光束整形系统(4)、多晶硅薄膜基片(5)、光学聚焦系统(7)、受激拉曼光谱接收系统(8)、拉曼数据分析并反馈系统(9)和移动工作台组成,各部件的位置关系如下:所述的多晶硅薄膜基片(5)置于所述的移动工作台上,所述的激光源(1)输出的激光束被分光器(2)分成第一光束(3)和第二光束(6),所述的第一光束(3)经光束整形系统(4)后扫描在移动工作台上的多晶硅薄膜基片(5)进行激光退火,所述的第二光束(6)经所述的光学聚焦系统(7)照射在经过激光退火的多晶硅薄膜基片(5),激发已退火的多晶硅的拉曼光谱并被所述的受激拉曼光谱接收系统(8)接收,然后由拉曼数据分析并反馈系统(9)进行数据处理并反馈至激光源(1),控制激光源(1)输出激光的功率,以调整激光能量密度及其稳定性。

2、根据权利要求1所述的多晶硅薄膜制备及检测装置,其特征在于所述的光束整形系统(4)把第一光束整形成为光强均匀分布的条状光束。

3、根据权利要求1所述的多晶硅薄膜制备及检测装置,其特征在于所述的光学聚焦系统(7)将第二光束(6)聚焦于已退火的多晶硅薄膜,光斑尺寸0.5~1.5μm。

4、根据权利要求1所述的多晶硅薄膜制备及检测装置,其特征在于所述的激光源(1)为脉冲激光器或连续激光器,波长范围266~1064nm;

5、根据权利要求1所述的多晶硅薄膜制备及检测装置,其特征在于所述的第一光束(3)与第二光束(6)的分光比为95~80%:5~20%。

6、根据权利要求1所述的多晶硅薄膜制备及检测装置,其特征在于所述的拉曼光谱接收系统(8)对所述的激光源(1)波长范围的光谱接收灵敏,有较好的荧光屏蔽效果。

7、根据权利要求1所述的多晶硅薄膜制备及检测装置,其特征在于所述的拉曼数据分析及反馈系统(9)是一台计算机,对由拉曼光谱接收系统(8)送入的数据进行数据处理,并根据处理的结果显示相应的TO峰峰位、半高宽和晶粒大小。

8、根据权利要求1至7任一项所述的多晶硅薄膜制备及检测装置,其特征在于所述的基片是玻璃基底。

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