[实用新型]一种液晶显示器基板蚀刻浸泡装置无效
申请号: | 200820045187.7 | 申请日: | 2008-03-21 |
公开(公告)号: | CN201204199Y | 公开(公告)日: | 2009-03-04 |
发明(设计)人: | 蔡彦坚 | 申请(专利权)人: | 深超光电(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/77;H01L21/84;H01L21/311;G02F1/136;G02F1/1333 |
代理公司: | 东莞市中正知识产权事务所 | 代理人: | 侯来旺 |
地址: | 518000广东省深圳市宝安*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 液晶显示器 蚀刻 浸泡 装置 | ||
技术领域
本实用新型属于半导体液晶显示基板制造装置技术领域,涉及一种液晶显示基板制造装置,具体涉及一种液晶显示器基板蚀刻浸泡装置。
背景技术
半导体液晶显示基板蚀刻制作过程的主要功能是采用由化学反应或是物理作用的方式将没有被光线覆盖及保护的部分加以去除,以完成转移图案化的步骤,在半导体组件的制作过程中是一个必要且相当重要的过程。
而现在广泛应用在半导体制作过程上的蚀刻技术主要有两种,一种是利用化学反应所进行的湿式蚀刻(Wet Etching);另一种是利用物理作用来进行的干式蚀刻(Dry Etching)。湿式蚀刻是最早被使用的蚀刻技术,它是利用基板表面的图案化层与特定溶液间进行无方向性的化学反应所达成,因此溶液浓度、蚀刻时间、蚀刻的搅拌方式往往成为控制湿式蚀刻反应的重要因素。图1a与图1b分别为现有技术对基板上准备蚀刻层进行湿式蚀刻时的示意图与蚀刻终止后的示意图。如图1a与图1b所示,现有技术的湿式蚀刻制程中一般采用两阶段式的蚀刻模式,也就是以主蚀刻(main-etching)喷洒搭配上过蚀刻(over-etching)的锥角(taper)修饰,以获得较为光滑的蚀刻图形,使得后续覆盖于蚀刻图形上之薄膜能够具有较佳的阶梯覆盖能力。而一般过蚀刻步骤采用浸泡模式(Dip),也就是将基板10浸置于蚀刻液12中,如图1a所示,再利用基板12的摆动(oscillation)来增加蚀刻液的搅动,以增加侧向蚀刻速率,达到修饰锥角的目的。但在目前的蚀刻浸泡槽设计下,如图1b所示,在蚀刻终止时,将基板10自蚀刻浸泡槽14移出的阶段,大量的蚀刻液12伴随着基板10由出口闸门处16溢流至外槽,且随着基板10面积越来越大的趋势下,将导致液切风刀(air curtain)18无法有效将蚀刻液12刮除,致使蚀刻液12随着基板10携至下一个制作程序,如水洗制作程序,从而产生无谓的蚀刻液耗损,造成浪费。
发明内容
本实用新型的目的就是针对上述液晶显示器基板蚀刻浸泡槽的缺点,提供一种结构简单,使用方便的蚀刻浸泡槽,采用在基板蚀刻浸泡槽旁增设有一自动控制单元的供液压力调节管路,以控制对内槽停止注液时能维持加压泵的稳定输出,而且可有效的节省蚀刻液,在基板蚀刻浸泡槽内还增设有一刮刀,以对基板表面的蚀刻液进行有效的清除,解决了现有技术液晶显示器基板蚀刻浸泡槽的蚀刻液无谓损耗大而造成浪费的问题。
本实用新型所采用的技术方案是,一种液晶显示器基板蚀刻浸泡装置,包括蚀刻浸泡装置的外槽、内槽、基板传输装置、外槽内的液切风刀、集液槽和自动控制电路,在蚀刻浸泡装置外槽内上方设有喷洒装置,在内槽的入/出口处设有刮刀,在外槽的底部设有的排液孔、注液/排液孔,底部设有的排液孔、注液/排液孔分别通过集液管路、注液/排液管路连接供液压力调节管路和集液槽。
本实用新型液晶显示器基板蚀刻浸泡装置,其特征还在于,
所述的供液压力调节管路包括:
一集液槽设有三个蚀刻液出入管路,分别连接加压泵、自动控制阀、三通阀。
一喷洒管路,一端连接喷洒装置,另一端经供液自动控制阀连接形成两通路,分别连接供液压力调节管路与供液加压管路,再经供液加压管路连接至加压泵。
一供液加压管路,一端连接至喷洒管路,另一端经供液控制阀连接注液/排液管路至该内/外槽体及经压力调节阀自动控制阀连接集液槽。
一供液压力调节管路,一端连接至喷洒管路,另一端装有压力调节阀,压力调节阀经自动控制阀连接至集液槽。
一注液/排液管路,一端连接外槽底部的注液/排液孔,另一端连接两个回路,分别连接供液控制阀与槽体回水控制自动阀;经供液控制阀还分别连接供液加压管路与供液压力调节管路,槽体回水控制自动阀后还接有一三通阀。
一集液管路,一端与的外槽底部的排液孔连接,另一端与三通阀连接形成三个通路,第一路连接至注液/排液管路,第二路连接至集液槽,第三通路连接至稀释回水端。
所述的内槽为一箱体,箱体两端各设有一进出开孔,进出开孔处与外槽相同,并设有闸门。
所述的供液压力调节管路上设有自动控制单元。
本实用新型液晶显示器基板蚀刻浸泡装置的有益效果是,采用了在基板蚀刻浸泡槽旁增设有一自动控制单元的供液压力调节管路,根据蚀刻过程调整槽内蚀刻液液面,稳定了加压泵的输出,有效避免了基板送出时蚀刻液随着基板由出口闸门溢流至外槽,减少了蚀刻液的消耗;槽内增设的刮刀,有效的去除基板表面的蚀刻液大大减少了蚀刻液的无谓浪费,提高了整个蚀刻制作过程的效率和制造质量。
附图说明
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造