[发明专利]主板供电电路无效
| 申请号: | 200810304945.7 | 申请日: | 2008-10-16 |
| 公开(公告)号: | CN101727158A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
| 发明(设计)人: | 胡可友 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号: | G06F1/26 | 分类号: | G06F1/26 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 主板 供电 电路 | ||
1.一种主板供电电路,包括一第一NMOS场效应管、一第二NMOS场效应管、一第一电容、一第一电感以及一延时电路,所述第一NMOS场效应管的栅极与一电压调节模块的一高端门极驱动输出引脚相连,所述第一NMOS场效应管的源极与所述电压调节模块的一相位引脚相连,并通过所述第一电容与所述电压调节模块的一驱动引脚相连,同时还通过所述第一电感与一内存控制中心相连,所述第一NMOS场效应管的漏极与一系统电源相连;所述第二NMOS场效应管的栅极与所述电压调节模块的一低端门极驱动输出引脚相连,所述第二NMOS场效应管的源极接地,其漏极与所述第一NMOS场效应管的源极及所述延时电路相连;其中,所述电压调节模块的高端门极驱动输出引脚及低端门极驱动输出引脚分别用于驱动所述第一NMOS场效应管及第二NMOS场效应管,所述相位引脚输出一电压脉冲信号通过所述第一NMOS场效应管及第二NMOS场效应管交替导通为所述内存控制中心供电。
2.如权利要求1所述的主板供电电路,其特征在于:所述第一NMOS场效应管的漏极通过一第二电感与所述系统电源相连。
3.如权利要求1所述的主板供电电路,其特征在于:所述第二NMOS场效应管的漏极还通过一电阻与一脉冲宽度调制控制器的一过电流保护引脚相连。
4.如权利要求3所述的主板供电电路,其特征在于:所述电压调节模块还包括一高端门极驱动电压引脚、一电压引脚、一脉冲宽度调制引脚以及一接地引脚,所述高端门极驱动电压引脚与所述电压引脚相连,并与所述系统电源相连,同时还通过一第二电容接地;所述脉冲宽度调制引脚与所述脉冲宽度调制控制器的一脉冲宽度调制电压引脚相连以接收一脉冲宽度调制信号;所述接地引脚接地。
5.如权利要求1所述的主板供电电路,其特征在于:所述第一NMOS场效应管的栅极通过一电阻与所述电压调节模块的高端门极驱动输出引脚相连。
6.如权利要求1所述的主板供电电路,其特征在于:所述第一电容通过一电阻与所述电压调节模块的驱动引脚相连。
7.如权利要求1所述的主板供电电路,其特征在于:所述第二NMOS场效应管的栅极通过一电阻与所述电压调节模块的低端门极驱动输出引脚相连。
8.如权利要求1所述的主板供电电路,其特征在于:所述第一NMOS场效应管的漏极还分别通过一第二电容、一第三电容及一第四电容接地。
9.如权利要求1所述的主板供电电路,其特征在于:所述延时电路包括一电阻及一第二电容,所述电阻的一端与所述第二NMOS场效应管的漏极相连,另一端通过所述第二电容接地。
10.如权利要求9所述的主板供电电路,其特征在于:所述电阻的电阻值介于2.09欧姆-2.31欧姆之间,所述第二电容的电容值为1nF。
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