[发明专利]采用硼掺杂在金刚石表面制备半导体导电膜的方法无效
| 申请号： | 200810249725.9 | 申请日： | 2008-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101447418A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 李西勤 | 申请（专利权）人： | 山东泉舜科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3205;H01L21/31;H01L21/205;C23C16/54;C23C16/52 |
| 代理公司： | 山东济南齐鲁科技专利事务所有限公司 | 代理人： | 宋永丽 |
| 地址： | 250101山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 采用 掺杂 金刚石 表面 制备 半导体 导电 方法 | ||
1、采用硼掺杂在金刚石表面制备半导体导电膜的方法，其特征在于：包括以下步骤：
①采用丙酮有机溶机对金刚石基片清洗；
②清洗后的基片放入CVD设备的反应室内；
③反应室抽空至10-4Torr；
④对基片加热至500-800℃；
⑤反应室通入CH4气体，对基片进行氢等离子处理，气体流量为10-200ml/min，通入时间为3-5分钟，之后关掉气源；
⑥反应室再次抽真空至10-4Torr；
⑦反应室通入H2气体和CH4气体，H2气体流量为10-50ml/min，CH4气体流量为30-300ml/min；
⑧步骤⑦所述气体通气1-2分钟后，开启微波电源，在基片上进行半绝缘膜沉积，微波功率为3000-5000W，半绝缘膜的沉积速率为0.01-0.1μm/min，沉积时间为10-100分钟，半绝缘膜的厚度达到0.5-5微米后关闭微波电源；
⑨再对反应室通入BCl3或B2H6气体，该气体流量为10-100ml/min；
⑩步骤⑨所述气体通气1-2分钟后开启微波电源，在基片的半绝缘膜上进行导电膜沉积，微波功率为3000-5000W；导电膜沉积速率为0.01-0.1μm/min，沉积时间为5-50分钟，最终在基片半绝缘膜上形成0.1-1微米厚度的导电膜，此时关闭微波电源，并同时关闭所有气体。
2、根据权利要求1所述的采用硼掺杂在金刚石表面制备半导体导电膜的方法，其特征在于：步骤⑦中所述的H2气体流量为30ml/min，CH4气体流量为120ml/min。
3、根据权利要求1所述的采用硼掺杂在金刚石表面制备半导体导电膜的方法，其特征在于：步骤⑨中所述BCl3或B2H6气体流量为65ml/min。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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