[发明专利]一种晶片及验证缺陷扫描机台的方法有效

专利信息
申请号: 200810241031.0 申请日: 2008-12-25
公开(公告)号: CN101451962A 公开(公告)日: 2009-06-10
发明(设计)人: 张维怡;黄文亮;王湛 申请(专利权)人: 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
主分类号: G01N21/93 分类号: G01N21/93
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 代理人: 郭润湘
地址: 100871北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 晶片 验证 缺陷 扫描 机台 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于半导体领域,特别涉及一种晶片及验证缺陷扫描机台的方法。

背景技术

在缺陷扫描机台扫描晶片上的颗粒,并能确定晶片上的颗粒参数,为验证缺陷扫描机台的准确度稳定性,需定期验证机台的稳定性和精确性。现有的技术是采用不同规格的标准片对机台进行周期性的验证(如每个月进行一次测试),每种规格标准片都有对应的颗粒的参数,即大小和颗粒的个数的说明,如一种标准片上有3万个0.6um的颗粒,另一种标准片上有3.1万个0.9um的颗粒。验证机台时,采用各种规格的标准片对机台进行检测,并记录测试的结果,将各测试的结果和各标准片的颗粒的参数进行比较,若均在设定的阈值范围内,则可认定该机台检测合格,反之则不合格。如一标准片上有3万个0.6um的颗粒,采用该标准片对机台进行测试,测试结果为颗粒的个数为30150个,与标准片的颗粒个数3万个比较,偏差为0.5%,小于规定的偏差阈值±1%,同理采用其它规格的标准片(3.1万个0.9um颗粒的标准片)测试,若均在设定的阈值范围内,则可认定该机台检测合格,反之则不合格。采用标准片进行机台测试,可以很好的测试出机台的准确度稳定性,但购买标准片的费用高,不易频繁的使用。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供了一种验证缺陷扫描机台的方法,为了解决标准片的费用高,不易频繁的使用的问题。

为了实现上述目的,本发明实施例提供的一种验证缺陷扫描机台的方法,包括:

在使用标准片验证合格后的缺陷扫描机台上,扫描晶片本体表面带有颗粒的定期测试晶片,记录定期测试晶片上的颗粒参数作为标准颗粒参数;

在之后缺陷扫描机台日常监控中,将定期测试晶片在缺陷扫描机台上扫描,记录颗粒参数;

比较日常监控中记录的颗粒参数和标准参数的差值,若在设定的阈值范围内,则缺陷扫描机台检测合格,反之则不合格。

同时本发明实施例还提供一种晶片,包括:晶片本体和晶片本体表面上的颗粒,晶片本体表面上覆盖膜层,所述颗粒被包裹在内。

由上述本发明提供的具体实施方案可以看出,正是由于自制定期测试晶片,避免了标准片频繁使用。

附图说明

图1为本发明提供的第一实施例方法流程图;

图2为本发明提供的第二实施例晶片结构图。

具体实施方式

为解决标准片的费用高,不易频繁的使用的问题,本发明实施例提供了一种验证缺陷扫描机台的方法及晶片,该方法就是在不使用标准片的情况下,自制定期测试QC晶片,用以验证机台。本发明实施例采用如下方法。试验前使用标准片验证机台的精确性,后选择合适的QC晶片,在机台上扫描后记录颗粒分布及颗粒大小、数量。为使QC晶片现有的颗粒固定,将QC晶片表面生长一层SiN膜,这样原来QC晶片表面的颗粒被SiN膜包裹在内,不会随时间的改变而变化。将覆盖了SiN膜的QC晶片重新在机台上测量,此时颗粒的分布、大小、数量即为固定后的颗粒的参数。由于之前使用标准片验证过机台的稳定性和精确性,故可认定此时测量的参数是真实准确的。在今后在日常监控中,只要对比第一次测量颗粒的参数即可。同时为防止由外来沾污而引起参数的增加,可以在做机台日常检测前清洗QC晶片,由于QC晶片表面有SiN覆盖,外来沾污可以清洗干净,但膜内颗粒不会改变,QC晶片可以重复利用。

本发明提供的第一实施例是一种验证缺陷扫描机台的方法,方法流程如图1所示,包括:

步骤101:使用标准片验证机台。

验证机台的稳定性和精确性时,采用各种规格的标准片对机台进行检测,并记录测试的结果,将各测试的结果和各标准片的颗粒的参数进行比较,若均在设定的阈值范围内,则可认定该机台检测合格,反之则不合格。如一标准片上有3万个0.6um的颗粒,采用该标准片对机台进行测试,测试结果为颗粒的个数为30150个,与标准片的颗粒个数3万个比较,偏差为0.5%,小于规定的偏差阈值±1%,同理采用其它规格的标准片(3.1万个0.9um颗粒的标准片)测试,若均在设定的阈值范围内,则可认定该机台检测合格,反之则不合格。

步骤102:选择晶片本体表面带有颗粒的晶片作为QC晶片,在验证合格后的机台上扫描,记录颗粒分布及数量。

由于之前使用标准片验证过机台的稳定性和精确性,故可认定此时测量的参数是真实准确的,比如此时测试得到QC晶片上有100个颗粒,在之后的机台日常监控中将以100个颗粒作为该QC晶片的标准参数。

步骤103:将QC晶片表面生长一层氮化硅SiN膜。

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