[发明专利]覆盖CVD金刚石层的钻探用金刚石复合片及制作方法无效
| 申请号: | 200810240746.4 | 申请日: | 2008-12-24 |
| 公开(公告)号: | CN101476445A | 公开(公告)日: | 2009-07-08 |
| 发明(设计)人: | 陈继锋 | 申请(专利权)人: | 陈继锋 |
| 主分类号: | E21B10/46 | 分类号: | E21B10/46;C23C16/27;C23C16/44;C23C16/50 |
| 代理公司: | 北京市商泰律师事务所 | 代理人: | 毛燕生 |
| 地址: | 100018北京市朝*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 覆盖 cvd 金刚石 钻探 复合 制作方法 | ||
1.一种覆盖CVD金刚石涂层的钻探用金刚石复合片,其特征是:PDC片的PCD表面沉积有一层0.01-2mm厚的CVD金刚石膜。
2.根据权利要求1所述的钻探用金刚石复合片,其特征是:PCD表面的金刚石层经过脱钴处理或未经过脱钴处理。
3.根据权利要求1、2所述的钻探用金刚石复合片的制备方法,其特征是:经过脱钴处理的PCD,在650℃以下温度,通过各种化学气相沉积的方法沉积一层0.01-2mm厚金刚石膜。
4.根据权利要求1、2所述的钻探用金刚石复合片的制备方法,其特征是:未经脱钴处理的PCD,在500℃以下温度,通过各种化学气相沉积的方法沉积一层0.01-2mm厚金刚石膜。
5.根据权利要求4所述的钻探用金刚石复合片的制备方法,其特征是:在大气气氛下,采用弧光放电、多激光束辅助分解等化学气相沉积方法,将含碳气源或液体源分解,在PCD表面沉积覆盖一层0.01-2mm厚的CVD金刚石膜。
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