[发明专利]覆盖CVD金刚石层的钻探用金刚石复合片及制作方法无效

专利信息
申请号: 200810240746.4 申请日: 2008-12-24
公开(公告)号: CN101476445A 公开(公告)日: 2009-07-08
发明(设计)人: 陈继锋 申请(专利权)人: 陈继锋
主分类号: E21B10/46 分类号: E21B10/46;C23C16/27;C23C16/44;C23C16/50
代理公司: 北京市商泰律师事务所 代理人: 毛燕生
地址: 100018北京市朝*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 覆盖 cvd 金刚石 钻探 复合 制作方法
【权利要求书】:

1.一种覆盖CVD金刚石涂层的钻探用金刚石复合片,其特征是:PDC片的PCD表面沉积有一层0.01-2mm厚的CVD金刚石膜。

2.根据权利要求1所述的钻探用金刚石复合片,其特征是:PCD表面的金刚石层经过脱钴处理或未经过脱钴处理。

3.根据权利要求1、2所述的钻探用金刚石复合片的制备方法,其特征是:经过脱钴处理的PCD,在650℃以下温度,通过各种化学气相沉积的方法沉积一层0.01-2mm厚金刚石膜。

4.根据权利要求1、2所述的钻探用金刚石复合片的制备方法,其特征是:未经脱钴处理的PCD,在500℃以下温度,通过各种化学气相沉积的方法沉积一层0.01-2mm厚金刚石膜。

5.根据权利要求4所述的钻探用金刚石复合片的制备方法,其特征是:在大气气氛下,采用弧光放电、多激光束辅助分解等化学气相沉积方法,将含碳气源或液体源分解,在PCD表面沉积覆盖一层0.01-2mm厚的CVD金刚石膜。

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