[发明专利]高精复合盘结构及其应用有效
申请号: | 200810228716.1 | 申请日: | 2008-11-12 |
公开(公告)号: | CN101740343A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 魏猛 | 申请(专利权)人: | 沈阳芯源微电子设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/027;H01L21/677;H01L21/683;G03F7/00;G03F7/16;G03F7/30 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 张志伟 |
地址: | 110168 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复合 盘结 及其 应用 | ||
1.一种高精复合盘结构,其特征在于:该复合盘结构设有热盘 单元(2)、冷盘单元(3)、热盘盖(4)、主框架(5),热盘单元(2) 和冷盘单元(3)设置在同一主框架(5)内,热盘单元(2)上方设 置热盘盖(4),冷盘单元(3)为可以前后滑动至热盘单元(2)和热 盘盖(4)之间的活动单元;所述主框架(5)内设置可以在热盘单元 (2)或冷盘单元(3)上升降的支撑杆(6)。
2.按照权利要求1所述的高精复合盘结构,其特征在于:热 盘单元(2)和热盘盖(4)一侧为进出晶片部分,进出晶片部分采 用弧型结构,热盘单元(2)进出晶片部分的边线与主框架(5)弧 型面同心。
3.按照权利要求1所述的高精复合盘结构,其特征在于:热 盘单元(2)安装在主框架(5)内的托板上,冷盘单元(3)安装 在与主框架(5)内托板平行的主框架(5)下基板上的两条滑动导 轨的滑块上。
4.按照权利要求1所述的高精复合盘结构的应用,其特征在 于,热盘单元和冷盘单元集成在同一框架内,冷盘单元根据工艺需 要前后滑动,晶片在支撑杆的升降作用下选择热盘单元或冷盘单 元,热盘盖在晶片于热盘单元上加热时密封热盘单元。
5.按照权利要求4所述的高精复合盘结构的应用,其特征在于, 具体步骤如下:
(1)工艺机器人将晶片由某个单元中取出,放入复合盘的支撑 杆上,完成进片过程;
(2)支撑杆下降,将晶片放置于热盘单元上,热盘盖下降密封 热盘单元开始加热;
(3)达到加热时间后,热盘盖上升,同时支撑杆开始上升将晶 片抬起,冷盘单元沿着轨道向前运动到达晶片下方,支撑杆下降将晶 片放置于冷盘单元上开始制冷;
(4)达到制冷时间后支撑杆上升将晶片抬起,冷盘单元沿着轨 道向后回到初始位置,工艺机器人将晶片取走,完成整个复合盘的工 艺过程。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造