[发明专利]反应腔室及半导体加工设备

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体加工设备，尤其涉及一种半导体加工的反应腔室。

背景技术

在半导体加工过程中，反应腔室为半导体基片的加工提供真空环境，通过向反应腔室 中供应工艺气体，并通过射频电源将气体激发成等离子态，对基片表面进行相应的材料腐 蚀或沉积等加工工艺。

对于半导体基片加工来说，整个基片表面处理的均匀性是工艺的一个重要指标，工艺 气体进入反应腔室后形成气流场，该气流场相对于基片中心的对称性是基片表面处理的均 匀性的关键，而对称的反应腔结构是实现均匀气体分布的前提条件之一。

现有技术一的反应腔室，如图1所示：

是一种侧下抽气的反应腔室，包括介质窗1和腔室壁3，二者之间形成的空腔为处理基 片的真空腔室，基片由窗口4送入反应腔室内部，放置于静电卡盘5之上，反应气体通过进 气口2进入反应腔内部，并被激发成等离子体，对基片进行加工工艺，工艺后的气体被真空 泵从抽气腔6抽走。

现有技术二的反应腔室，如图2所示：

是一种下抽气的反应腔室，抽气口6、进气口2及静电卡盘5同轴布置，实现了进气抽 气结构上的对称分布，静电卡盘5靠反应腔室侧面安装的悬空的支撑臂支撑。

上述现有技术至少存在以下缺点：

现有技术一中，由于抽气口位于侧面，为非对称布置，导致基片表面位置上气流的分 布不均匀；

现有技术二中，为了保证能够有足够的强度，以及足够的空间来提供冷却装置、射频 装置及电气线路等的安装，悬空支撑臂的尺寸不能太小，由于悬臂支撑的存在导致了气流 通路的不对称，从而导致了气流分布的不均匀。

发明内容

本发明的目的是提供一种气流分布均匀的反应腔室及半导体加工设备。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

本发明的反应腔室，包括腔室壁，该反应腔室的内部空腔中设有下电极盒体，所述下 电极盒体通过多条通道支撑在所述腔室壁上，所述下电极盒体的内部空腔通过所述通道与 该反应腔室的外部相通；

所述多条通道绕该反应腔室的纵向轴线周向均匀分布；

所述腔室壁的下部设有抽气口。

本发明的半导体加工设备，该半导体加工设备设有上述的反应腔室。

由上述本发明提供的技术方案可以看出，本发明所述的反应腔室及半导体加工设备， 由于反应腔室中，下电极盒体通过多条通道支撑在所述腔室壁上，下电极盒体的内部空腔 通过多条通道与反应腔室的外部相通；多条通道绕反应腔室的纵向轴线周向均匀分布；腔 室壁的下部设有抽气口。一方面，在抽气气路上形成中心对称的分布结构，使气流分布均 匀；另一方面，可以通过多条通道设置各种气体管路、电气线路、冷却管路以及射频线路 等，结构简单、布置灵活。

附图说明

图1为现有技术一的反应腔室的结构示意图；

图2为现有技术二的反应腔室的结构示意图；

图3为本发明的反应腔室的具体实施例一的结构示意图；

图4为本发明中的下电极盒体的具体实施例的结构示意图；

图5为本发明中的下电极盒体的具体实施例的立体结构示意图；

图6为本发明中的通道的具体实施例的结构示意图；

图7为本发明中的通道的具体实施例的立体结构示意图；

图8为本发明的反应腔室的具体实施例二的结构示意图。

具体实施方式

本发明的反应腔室，其较佳的具体实施例一，如图3所示，包括腔室壁3，该反应腔室 的内部空腔中设有下电极盒体9，下电极盒体9通过多条通道10支撑在腔室壁3上，下电极盒 体9的内部空腔通过通道10与该反应腔室的外部相通；腔室壁3的下部设有抽气口6。

通道10可以有2～8条，如3条或4条等。多条通道10可以绕该反应腔室的纵向轴线周向 均匀分布，形成中心对称的布置结构。