[发明专利]反应腔室及半导体加工设备有效
| 申请号： | 200810227439.2 | 申请日： | 2008-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN101740340A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 张风港 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 赵镇勇 |
| 地址： | 100016 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反应 半导体 加工 设备 | ||
1.一种反应腔室，包括腔室壁，该反应腔室的内部空腔中设有下电极盒体，静电卡 盘固定于所述下电极盒体上，其特征在于，所述下电极盒体通过多条通道支撑在所述腔室 壁上，所述下电极盒体的内部空腔通过所述通道与该反应腔室的外部相通；
所述多条通道绕该反应腔室的纵向轴线周向均匀分布；
所述腔室壁的下部设有抽气口，所述抽气口位于所述下电极盒体的下方。
2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述通道包括竖向部分、横向部 分，所述竖向部分与所述下电极盒体固定连接；所述横向部分与所述腔室壁固定连接；
所述竖向部分与所述横向部分的夹角为90～170°。
3.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述横向部分的开口部位设有凸 缘，所述凸缘紧贴于所述腔室壁的外表面上。
4.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述通道有2～8条。
5.根据权利要求4所述的反应腔室，其特征在于，所述通道有3～4条。
6.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述腔室壁的上部为柱形面，所述 柱形面的下部至所述抽气口之间通过锥形面过渡，所述通道固定在所述柱形面或所述锥形 面上。
7.根据权利要求6所述的反应腔室，其特征在于，所述柱形面与所述锥形面之间的夹 角为100～160°。
8.根据权利要求7所述的反应腔室，其特征在于，所述柱形面与所述锥形面之间的夹 角为150°。
9.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述通道与外部的开口处设有射频 屏蔽罩。
10.一种半导体加工设备，其特征在于，该半导体加工设备设有权利要求1至9任一项 所述的反应腔室。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
