[发明专利]调整间隙壁宽度的方法以及构造间隙壁的蚀刻方法

权利要求书

1.一种调整间隙壁宽度的方法，所述间隙壁成分为氧化硅，位于由单 晶硅基底以及覆盖于单晶硅基底表面的多晶硅结构组成的晶片上，其特征在 于，在所述晶片表面沉积一定厚度的氧化硅薄膜之后，且在对晶片进行用以 构造间隙壁的定向蚀刻工艺之前，进行如下步骤：

根据所要达到的氧化硅薄膜厚度的预定值以及晶片表面的氧化硅薄膜厚 度，得到需要削减的氧化硅薄膜厚度值，并根据所述需要削减的氧化硅薄膜厚 度值，得到反应时间T；

将所述晶片表面置于充满等离子体的反应腔中，且所述反应腔处于无偏压 环境中，进行各向同性蚀刻，时长为所述反应时间T。

2.根据权利要求1所述的调整间隙壁宽度的方法，其特征在于，所述 晶片表面沉积一定厚度的氧化硅薄膜之前进一步包括：在晶体表面沉积氮化 硅薄膜。

3.一种构造间隙壁的蚀刻方法，其特征在于，该蚀刻方法包括如下步 骤：

根据所要构造的间隙壁的厚度值w1，计算得到所需的薄膜厚度值w2， 其中w2＞w1；

在由单晶硅基底以及覆盖于单晶硅基底表面的多晶硅结构组成的晶片 表面沉积一定厚度的氧化硅薄膜，所述氧化硅薄膜的厚度大于厚度值w2；

将所述晶片表面置于充满等离子体的反应腔中，且所述反应腔处于无偏 压环境中，进行各向同性蚀刻反应削减晶片表面的氧化硅薄膜厚度，使氧化 硅薄膜厚度达到w2的大小；

对所述晶片进行定向蚀刻，构造出厚度为w1的间隙壁。

4.根据权利要求3所述的构造间隙壁的蚀刻方法，其特征在于，预先 建立间隙壁厚度与氧化硅薄膜厚度的对应关系表；

所述根据所要构造的间隙壁的厚度w1，得到所需的氧化硅薄膜厚度w2 包括：

根据所要构造的间隙壁厚度w1查找所述对应关系表，得到对应的氧化 硅薄膜厚度w2。

5.根据权利要求3所述的蚀刻方法，其特征在于，所述采用各向同性 的蚀刻方式削减晶片表面的氧化硅薄膜厚度，使氧化硅薄膜厚度达到w2的 大小包括：

根据氧化硅薄膜厚度w2以及晶片表面沉积的氧化硅薄膜厚度，得到需 要削减的氧化硅薄膜厚度值，并根据所述需要削减的氧化硅薄膜厚度值，得 到反应时间T；将所述晶片表面置于充满等离子体的反应腔中进行各向同性 蚀刻，且所述反应腔处于无偏压环境中，蚀刻反应的时长为所述反应时间T。

6.根据权利要求5所述的蚀刻方法，其特征在于，对所述晶片进行定 向蚀刻的步骤包括：

对所述反应腔加预定强度的偏压。

7.根据权利要求3至6任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，在所述 晶片表面沉积一定厚度的氧化硅薄膜的步骤之前包括：

在所述晶片表面沉积氮化硅薄膜。