[发明专利]PMOS晶体管的制造方法及PMOS晶体管有效
| 申请号： | 200810224805.9 | 申请日： | 2008-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN101728269A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 居建华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/51 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | pmos 晶体管 制造 方法 | ||
1.一种PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括步骤：
提供一半导体衬底；
在半导体衬底上形成栅氧层；
在栅氧层上形成栅导电层；
向栅氧层掺杂氮离子，在栅氧层和栅导电层接触的表面形成含氮薄 层；
形成含氮薄层后，通过栅导电层向栅氧层掺杂F离子，所述通过栅 导电层向栅氧层掺杂F离子的方式包括向栅氧层离子注入BF2，注入 BF2的参数为：1keV-3keV，剂量为5E14-3E15；
刻蚀栅导电层和栅氧层，形成栅极；
在栅极两侧的半导体衬底中形成源极区和漏极区。
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述通过栅导电 层向栅氧层掺杂氟离子步骤之后还进一步包括向栅导电层掺杂P型离 子。
3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述P型离子为 硼离子。
4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述的掺杂氮离 子是采用去耦等离子体渗氮的方法。
5.一种PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括步骤：
提供一半导体衬底；
在半导体衬底上形成栅氧层，所述栅氧层的表面具有含氮薄层；
形成含氮薄层后，向栅氧层掺杂F离子，所述向栅氧层掺杂F离子 的方式包括向栅氧层离子注入BF2，注入BF2的参数为：1keV-3keV， 剂量为5E14-3E15；
在栅氧层上形成栅导电层；
刻蚀栅导电层和栅氧层，形成栅极；
在栅极两侧的半导体衬底中形成源极区和漏极区。
6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述在栅氧层上 形成栅导电层步骤之后还进一步包括向栅导电层掺杂P型离子。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
