[发明专利]一种功率器件芯片无效
| 申请号： | 200810224582.6 | 申请日： | 2008-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN101728382A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 刘鹏飞;方绍明;陈勇;陈洪宁;王新强;张立荣;赵亚民 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/088;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种功率器件芯片，其特征在于，所述芯片包括多个形状相同且在平面上无缝衔接的元胞，在平面上所述元胞栅极介质层的形状为与正方形面积相同时周长大于正方形周长的形状。
2.如权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述元胞栅极介质层的形状为除正方形之外的平行四边形。
3.如权利要求2所述的芯片，其特征在于，所述元胞栅极介质层的形状为相邻两边夹角为45度或135度的平行四边形。
4.如权利要求2所述的芯片，其特征在于，所述元胞栅极介质层的形状为长方形。
5.如权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述元胞栅极介质层的形状为梯形。
6.如权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述元胞栅极介质层的形状为三角形。
7.如权利要求6所述的芯片，其特征在于，所述元胞栅极介质层的形状为正三角形。
8.如权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述元胞为闭合型元胞或条形元胞。
9.如权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述元胞的栅极介质层为多晶硅介质层或阿尔法硅介质层。
10.如权利要求1所述的芯片，其特征在于，还包括：源区阻挡区和接触孔，所述源区阻挡区和接触孔在栅极介质层的中间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
