[发明专利]封接圈及封接圈的使用方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种等离子显示屏，尤其涉及一种等离子显示屏用 封接圈及封接圈的使用方法。

背景技术

等离子显示屏是真空腔体内利用He+Xe、Ne+Xe、He+Ne+Xe 或He+Ne+Kr+Xe等惰性混合气体放电时产生147nm的真空紫外 线，使荧光体发光。在显示屏之间快速形成真空，是显示屏制作技 术的关键技术之一。如何缩短排气时间，提高排气质量，是平板显 示器制作领域需要攻克的。

图1是等离子显示屏生产中通常所采用的工艺结构。如图1所 示，它包括前基板100和后基板200。将前基板100和后基板200 精确对位后组合到一起，同时，要使前、后基板之间形成一定的空 隙。

其中，扫描电极111和维持电极112相互平行地形成于前基板 100上，且在一个放电单元中维持放电以产生放射。前介质层120 覆盖显示区域，并提供扫描电极111和维持电极112的绝缘且形成 壁电荷。氧化镁(MgO)保护层130通过沉积的方式形成前介质层 上，以保护扫描电极111和维持电极112不受等离子体放电期间离 子的碰撞，并且可以提高二次电子的发射效率。

寻址电极210形成于后基板200上，配合扫描电极111和维持 电极112形成寻址放电。后介质层220形成于寻址电极210上，同 时提供了寻址电极210之间的绝缘。

障壁230形成于下介质层上，可以为条形或栅格型。红色、蓝 色、绿色荧光体240形成于对应的障壁内。

封接剂030形成于后基板200的显示区域的外围，经准确对合 后，经封接工序将前基板100和后基板200封接到一起，经真空系 统将显示屏内的气体排出后，冲入定量的Ne、Xe等惰性混合气体， 完成等离子显示屏的制作。

等离子显示屏在封接过程中，封接剂的高度必须大于等于障壁 240的高度。在封接过程中，高温条件下，封接剂的高度和熔化的 时间有偏差，因此，前基板100和后基板200的相对位置会产生一 定的偏差。基板的偏差对于放电效率以及形成屏的着火电压、维持 电压以及亮度都会产生比较大的影响。

同时，封接完成后，前、后基板之间的间隙等于障壁的高度。 因此，每个放电单元中的残余气体就很难被排出，对排气效率以及 质量造成了的较严重的影响。

因此，有必要对现有的封接过程加以改进。

发明内容

本发明的目的提供一种等离子显示屏用封接圈，以在前、后基 板的四边形成硬支撑，提高前、后基板的间距。本发明的目的还在 于提供一种封接圈的使用方法，以缩短排气时间，提高生产效率。

为此，本发明的等离子显示屏用封接圈，具有支撑在等离子显 示屏的前基板和后基板之间的主体，主体与前基板和后基板封接在 一起以形成放电气体的密闭空间，主体上具有连通密闭空间的排气 管。

优选的，上述封接圈由玻璃材料或与玻璃材料熔点和膨胀系数 相同的材料制成。

优选的，上述封接圈的高度为壁障高度的1～1.5倍。

优选的，上述封接圈的主体为实心体，排气管直接连通密闭空 间以排气。

优选的，上述封接圈的主体的截面形状为矩形或圆形或椭圆 形。

优选的，上述封接圈的主体为空心管，空心管的内侧壁上开设 有若干间隔分布的排气孔，排气管与空心管相连通。

本发明的等离子显示屏用封接圈的使用方法，包括以下步骤： A)将封接圈放置于前基板和后基板之间，准确对位后进行封接， 以形成密闭空间；B)在封接完成后，通过封接圈的排气管对密闭 空间进行排气；C)在排气完成后对密闭空间冲入惰性工作气体并 且封离。

优选的，在步骤A中，封接圈的上、下表面上粘接有封接剂。

优选的，在步骤A中，前、后基板的显示区域的外围形成封接 框，该封接框由围绕发光区域的封接剂形成。

优选的，封接框的高度为50um～100um，封接框的宽度为2000 um～6000um。

使用本发明的封接圈(或者叫做排气圈)，可以在前、后基板的 四边之间形成硬支撑，提高前后基板的距离，缩短排气时间，提高 生产效率，同时，使前、后基板与封接剂之间的接触更加精细化。 进一步地，将外表面设计成弧线形例如圆形或椭圆形的封接圈，对 高温溶化后的封接浆料(封接剂)还具有引导流向的作用，这样可 以避免封接过程中前、后基板发生相对位置移动的可能性。