[发明专利]液晶显示装置的阵列基板制造方法

权利要求书

1.一种液晶显示装置的阵列基板制造方法，其特征在于，包括：

步骤1，在基板正面上形成栅线和公共线；

步骤2，在完成步骤1的基板上形成硅岛、源电极、漏电极和薄膜晶体管 沟道；

步骤3，在完成步骤2的基板上沉积钝化层；

步骤4，在完成步骤3的基板上涂覆光刻胶；

步骤5，通过在所述基板的正面采用单调掩模板进行曝光、在所述基板的 反面进行曝光、以及显影和蚀刻，在漏电极的边缘区域蚀刻掉钝化层，并露 出作为像素电极接触部的部分漏电极表面，保留非像素区域的光刻胶；

步骤6，在完成步骤5的基板上沉积像素电极透明导电层；

步骤7，剥离所述光刻胶，在像素区域形成像素电极图形，所述像素电极 通过所述像素电极接触部与漏电极连接；

其中，所述步骤5具体为：

步骤101，用一个单调掩模板从所述阵列基板的正面对所述光刻胶进行曝 光和显影，去除位于过孔区域的所述光刻胶，一部分过孔区域与所述像素电 极接触部重叠；

步骤102，对所述钝化层进行蚀刻，在源漏电极的边缘形成过孔，并且在 所述一部分过孔区域露出所述像素电极接触部；

步骤103，从所述阵列基板的反面对所述光刻胶进行曝光和显影，去除位 于像素区域的光刻胶；

或者，所述步骤5具体为：

步骤201，用一个单调掩模板从所述阵列基板的正面对位于过孔区域的光 刻胶进行曝光，一部分过孔区域与所述像素电极接触部重叠；

步骤202，从所述阵列基板的反面对所述光刻胶进行曝光和显影，去除位 于过孔区域和位于像素区域的光刻胶；

步骤203，对所述钝化层进行蚀刻，在源漏电极的边缘形成像素电极接触部；

或者，所述步骤5具体为：

步骤301，用一个单调掩模板从所述阵列基板的正面对位于过孔区域的光 刻胶进行完全曝光，一部分过孔区域与所述像素电极接触部重叠；

步骤302，从所述阵列基板的反面对所述光刻胶进行部分曝光和显影，去 除位于过孔区域的光刻胶，像素区域的光刻胶比其他区域的光刻胶薄；

步骤303，对所述钝化层进行蚀刻，在源漏电极的边缘形成像素电极接触部。

2.根据权利要求1所述的液晶显示装置的阵列基板制造方法，其特征在 于，在所述步骤101中，用一个单调掩模板从所述阵列基板的正面对所述光 刻胶进行曝光和显影，去除位于像素区域内的所述公共线上的所述光刻胶。

3.根据权利要求1所述的液晶显示装置的阵列基板制造方法，其特征在 于，在所述步骤201中，用一个单调掩模板从所述阵列基板的正面对位于像 素区域内的所述公共线上的光刻胶进行曝光。

4.根据权利要求1所述的液晶显示装置的阵列基板制造方法，其特征在 于，所述步骤5还包括：

步骤304，在经过步骤303的基板上，对所述光刻胶进行灰化，露出位于 像素区域的所述钝化层。

5.根据权利要求1所述的液晶显示装置的阵列基板制造方法，其特征在 于，所述步骤301中，用一个单调掩模板从所述阵列基板的正面对位于像素 区域内的所述公共线上的光刻胶进行完全曝光。

6.根据权利要求1～5任一所述的液晶显示装置的阵列基板制造方法， 其特征在于，沉积像素电极透明导电层具体为：沉积氧化铟锡层或沉积氧化 铟锌层。

7.根据权利要求1～5任一所述的液晶显示装置的阵列基板制造方法， 其特征在于，所述沉积钝化层具体为：沉积SiNx、SiOx或SiOxNy的单层结 构，或者沉积SiNx、SiOx和SiOxNy任意组合所构成的复合层结构。