[发明专利]液晶显示装置的阵列基板制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示装置的阵列基板的制造方法，特别涉及形成栅线和数据线并且在薄膜晶体管沟道上形成钝化层后形成像素电极的阵列基板的制造方法。 

背景技术

液晶显示装置(Liquid Crystal Display，简称为LCD)是一种主要的平板显示装置(Flat Panel Display，简称为FPD)。液晶显示装置的阵列基板(ArraySubstrate)主要由栅线、硅岛、薄膜晶体管(Thin Firm Transistor，简称为TFT)沟道(channel)、源/漏电极、过孔(via hole)和像素电极构成。 

为了提高生产效率，增加产量，技术人员研发出了通过3次构图工艺制造阵列基板的方法。图1a为现有的制造方法中第一次构图工艺后的基板截面示意图。图1b为现有的制造方法中第二次构图工艺后的基板截面示意图。图1c为现有的制造方法的第三次构图工艺中曝光和显影后的基板截面示意图。图1d为现有的制造方法中第三次构图工艺后的基板截面示意图。如图1a～图1d所示，现有的制造阵列基板的方法包括： 

第一次构图工艺，沉积栅金属层1，用一个单调掩模板(full tone mask)形成栅线； 

第二次构图工艺，依次沉积栅绝缘层、半导体层、掺杂半导体层和源/漏电极金属层2，用一个双调掩模板(dual tone mask)形成硅岛、源/漏电极和薄膜晶体管沟道； 

第三次构图工艺，沉积钝化层3，用一个双调掩模板形成过孔，然后对光刻胶4进行灰化(ashing)，并沉积像素电极透明导电层5后，通过剥离(lift off)工艺形成像素电极。 

虽然3次构图工艺提高了生产效率，但是使用了两个价格昂贵的双调掩模板。 

发明内容

本发明的目的是提供一种液晶显示装置的阵列基板制造方法，以克服在现有的阵列基板的制造方法中使用两个双调掩模板而引起的制造成本高的缺陷。 

为实现上述目的，本发明提供了一种液晶显示装置的阵列基板制造方法，包括： 

步骤1，在基板正面上形成栅线和公共线； 

步骤2，在完成步骤1的基板上形成硅岛、源电极、漏电极和薄膜晶体管沟道； 

步骤3，在完成步骤2的基板上沉积钝化层； 

步骤4，在完成步骤3的基板上涂覆光刻胶； 

步骤5，通过在所述基板的正面采用单调掩模板进行曝光、在所述基板的反面进行曝光、以及显影和蚀刻，在漏电极的边缘区域蚀刻掉钝化层，并露出作为像素电极接触部的部分漏电极表面，保留非像素区域的光刻胶； 

步骤6，在完成步骤5的基板上沉积像素电极透明导电层； 

步骤7，剥离所述光刻胶，在像素区域形成像素电极图形，所述像素电极通过所述像素电极接触部与漏电极连接； 

其中，所述步骤5具体为： 

步骤101，用一个单调掩模板从所述阵列基板的正面对所述光刻胶进行曝光和显影，去除位于过孔区域的所述光刻胶，一部分过孔区域与所述像素电极接触部重叠； 

步骤102，对所述钝化层进行蚀刻，在源漏电极的边缘形成过孔，并且在 所述一部分过孔区域露出所述像素电极接触部； 

步骤103，从所述阵列基板的反面对所述光刻胶进行曝光和显影，去除位于像素区域的光刻胶； 

或者，所述步骤5具体为： 

步骤201，用一个单调掩模板从所述阵列基板的正面对位于过孔区域的光刻胶进行曝光，一部分过孔区域与所述像素电极接触部重叠； 

步骤202，从所述阵列基板的反面对所述光刻胶进行曝光和显影，去除位于过孔区域和位于像素区域的光刻胶； 

步骤203，对所述钝化层进行蚀刻，在源漏电极的边缘形成像素电极接触部； 

或者，所述步骤5具体为： 

步骤301，用一个单调掩模板从所述阵列基板的正面对位于过孔区域的光刻胶进行完全曝光，一部分过孔区域与所述像素电极接触部重叠； 

步骤302，从所述阵列基板的反面对所述光刻胶进行部分曝光和显影，去除位于过孔区域的光刻胶，像素区域的光刻胶比其他区域的光刻胶薄； 

步骤303，对所述钝化层进行蚀刻，在源漏电极的边缘形成像素电极接触部。 

其中，在所述步骤101中，用一个单调掩模板从所述阵列基板的正面对所述光刻胶进行曝光和显影，去除位于像素区域内的所述公共线上的所述光刻胶。