[发明专利]一种MEMS密封封装方法有效
| 申请号： | 200810222286.2 | 申请日： | 2008-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN101362586A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 张锦文;王欣 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 密封 封装 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种MEMS密封封装方法，其步骤包括：
1)制备微封盖，即在玻璃片或者硅片上腐蚀出与MEMS器件相匹配的底部开口的微封 盖结构，在该微封盖墙体的底端腐蚀出一凹槽；
2)MEMS器件及其电极制备在一衬底上，在上述MEMS器件周围衬底的键合密封区域制 备一隔离层；
3)在上述隔离层上或者微封盖墙体底端的凹槽内设置填充物；
4)将上述微封盖与所述衬底键合，微封盖墙体底端的凹槽位于所述隔离层上，形成一 填充密封腔，上述填充物位于该填充密封腔内；
5)加热使上述填充物熔融，实现微封盖密封MEMS器件。
2.如权利要求1所述的MEMS密封封装方法，其特征在于，步骤1)所述微封盖的凹 槽采用ICP工艺或RIE工艺制备。
3.如权利要求1所述的MEMS密封封装方法，其特征在于，步骤2)所述隔离层为SiO2或Si3N4，制备方法采用化学气相沉积或溅射。
4.如权利要求1所述的MEMS密封封装方法，其特征在于，步骤3)所述填充物为铟 或锡，上述填充物制备采用化学气相沉积、溅射、蒸发、丝网印刷、旋涂或喷涂方法。
5.如权利要求1所述的MEMS密封封装方法，其特征在于，步骤4)所述键合采用阳 极键合、硅片直接键合或者中间层辅助键合方法。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810222286.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
