[发明专利]用于一混频装置的噪声抑制电路及其相关混频装置有效

专利信息
申请号: 200810215083.0 申请日: 2008-09-09
公开(公告)号: CN101674049A 公开(公告)日: 2010-03-17
发明(设计)人: 杨智勋 申请(专利权)人: 联咏科技股份有限公司
主分类号: H03D7/00 分类号: H03D7/00;H03D7/14
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 蒲迈文
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 用于 混频 装置 噪声 抑制 电路 及其 相关
【说明书】:

技术领域

发明系指一种用于一混频装置的噪声抑制电路及其相关混频装置,尤 指一种可大幅降低闪烁噪声,提升信息接收质量的噪声抑制电路及其相关混 频装置。

背景技术

混频器是无线通信系统中必要的组件,用以进行频率合成,以达到升频 或降频的目的。在现有混频器电路中,采用直接转换架构的混频器具有成本 低、能耗低、便于系统微小化等诸多优势,其中一例为吉尔伯特双平衡混频 器。

请参考图1,图1为现有技术中一吉尔伯特双平衡混频器10的示意图。 吉尔伯特双平衡混频器10包含有一射频输入级电路100、一混频电路102及 一输出级电路104。射频输入级电路100由场效晶体管M1、M2所组成,用 以透过栅极接收天线(或低噪声放大器)所传送来的差动射频信号VRF+、 VRF-,并由漏极产生对应的电流IRF+、IRF-。混频电路102由场效晶体管 M3、M4、M5、M6所组成,用以根据差动本地振荡信号VLO+、VLO-,控 制场效晶体管M3、M4、M5、M6的启闭,以进行混频处理。其操作原理如 下,场效晶体管M1、M2所发出的电流IRF+、IRF-的大小变化可分别控制场 效晶体管M3、M4与M5、M6的增益;于是,当差动本地振荡信号VLO+、 VLO-的电压亦呈高低起伏变化时,混频电路102输出至输出级电路104的电 流IIF+、IIF-为场效晶体管M3~M6的栅极电压VLO+、VLO-与源极电流 IRF+、IRF-的相乘结果。最后,输出级电路104的电阻R1、R2将电流IIF+、 IIF-转换为一组差动低频信号VIF+、VIF-。换言之,差动低频信号VIF+、VIF- 可视为差动射频信号VRF+、VRF-与差动本地振荡信号VLO+、VLO-的相乘 结果。

在吉尔伯特双平衡混频器10中,混频电路102的四个场效晶体管(M3~ M6)可因混频电路102的场效晶体管本身的特性及场效晶体管源级耦合处所 寄生的电容的影响,而产生「闪烁噪声」。闪烁噪声会大幅降低接收机电路的 信号噪声比,导致系统效能降低。闪烁噪声与真实信号的频谱重迭,无法经 由其频谱特性的差异,以滤波器滤除闪烁噪声。同时,闪烁噪声的频谱响应 大约是与频率成反比,造成频率越小时,其能量值越大。换言之,闪烁噪声 愈接近直流时其值愈大,使得接近直流频率且有意义的基频信号埋没在以闪 烁噪声为主的噪声中。因此,欲提升信息接收的质量,降低信息接收的错误 率,必须有效降低真实信号被闪烁噪声污染的程度。

发明内容

因此,本发明的主要目的即在于提供一种可用于一混频装置的噪声抑制 电路及其相关的混频装置。

本发明揭露一种可用于一混频装置的噪声抑制电路,包含有一第一信号 端,耦接于该混频装置的一射频输入级电路的一第一输出端;一第二信号端, 耦接于该混频装置的该射频输入级电路的一第二输出端;一第一可变电流源, 包含有一第一端耦接于该第一信号端,一第二端耦接于该第二信号端,及一 第三端耦接于一第一电源,该第一可变电流源用来根据该第二端的信号,调 整该第一端至该第三端的电流大小;一第二可变电流源,包含有一第一端耦 接于该第二信号端,一第二端,及一第三端耦接于该第一电源揭露,该第二 可变电流源用来根据该第二端的信号,调整该第一端至该第三端的电流大小; 以及一相位移转(shift)装置,耦接于该第一信号端与该第二可变电流源的 该第二端之间,用来转换该第一信号端的一第一信号的相位,以产生一第二 信号,并将该第二信号输出至该第二可变电流源的该第二端。

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