[发明专利]用于一混频装置的噪声抑制电路及其相关混频装置

权利要求书

1.一种用于一混频装置的噪声抑制电路，包括有：

一第一信号端，耦接于该混频装置的一射频输入级电路的一第一输出端；

一第二信号端，耦接于该混频装置的该射频输入级电路的一第二输出端；

一第一可变电流源，包含有一第一端耦接于该第一信号端，一第二端耦 接于该第二信号端，及一第三端耦接于一第一电源，该第一可变电流源用来 根据该第二端的信号，调整该第一端至该第三端的电流大小；

一第二可变电流源，包含有一第一端耦接于该第二信号端，一第二端， 及一第三端耦接于该第一电源，该第二可变电流源用来根据该第二端的信号， 调整该第一端至该第三端的电流大小；以及

一相位移转装置，耦接于该第一信号端与该第二可变电流源的该第二端 之间，用来转换该第一信号端的一第一信号的相位，以产生一第二信号，并 将该第二信号输出至该第二可变电流源的该第二端。

2.如权利要求1所述的噪声抑制电路，其中该第一可变电流源包含有：

一增益开关，包含有一第一端耦接于该第一信号端，一第二端耦接于该 第二信号端，及一第三端，该增益开关用来根据该第二端的信号，导通该第 一端至该第三端的信号连结；以及

一电流源，耦接于该增益开关的该第三端与该第一电源之间，用来提供 电流。

3.如权利要求2所述的噪声抑制电路，其中该电流源包含有：

一电压产生器，用来产生电压；

一晶体管，其一漏极耦接于该增益开关的该第三端，一栅极耦接于该电 压产生器，及一源极耦接于该第一电源；以及

一旁路电容，耦接于该增益开关的该第三端与该第一电源之间。

4.如权利要求3所述的噪声抑制电路，其中该第一电源是一低电压电源。

5.如权利要求4所述的噪声抑制电路，其中该增益开关是一N型金属氧 化半导体晶体管，该第一端是一漏极，该第二端是一栅极，及该第三端是一 源极。

6.如权利要求4所述的噪声抑制电路，其中该电流源的该晶体管是一N 型金属氧化半导体晶体管。

7.如权利要求3所述的噪声抑制电路，其中该第一电源是一高电压电源。

8.如权利要求7所述的噪声抑制电路，其中该增益开关是一P型金属氧 化半导体晶体管，该第一端是一漏极，该第二端是一栅极，及该第三端是一 源极。

9.如权利要求7所述的噪声抑制电路，其中该电流源的该晶体管是一P 型金属氧化半导体晶体管。

10.如权利要求1所述的噪声抑制电路，其中该第二可变电流源包含 有：

一增益开关，包含有一第一端耦接于该第二信号端，一第二端耦接于该 相位移转装置，及一第三端，该增益开关用来根据该第二端的所接收的该第 二信号，导通该第一端至该第三端的信号连结；以及

一电流源，耦接于该增益开关的该第三端与该第一电源之间，用来提供 电流。

11.如权利要求10所述的噪声抑制电路，其中该电流源包含有：

一电压产生器，用来产生电压；

一晶体管，其一漏极耦接于该增益开关的该第三端，一栅极耦接于该电 压产生器，及一源极耦接于该第一电源；以及

一旁路电容，耦接于该增益开关的该第三端与该第一电源之间。

12.如权利要求11所述的噪声抑制电路，其中该第一电源是一低电压 电源。

13.如权利要求12所述的噪声抑制电路，其中该增益开关是一N型金 属氧化半导体晶体管，该第一端是一漏极，该第二端是一栅极，及该第三端 是一源极。

14.如权利要求12所述的噪声抑制电路，其中该电流源的该晶体管是 一N型金属氧化半导体晶体管。

15.如权利要求11所述的噪声抑制电路，其中该第一电源是一高电压 电源。