[发明专利]芯片封装结构制程

说明书

技术领域

本发明是有关于一种芯片封装结构制程，且特别是有关于一种利用至少二 种B阶粘着层以结合基底的的芯片封装结构制程。

背景技术

随着集成电路的输入/输出接点的增多，芯片封装技术变得越来越多样化。 这归因于覆晶(Flip Chip)互连技术极小化芯片封装尺寸并减少信号传输路径 等的事实。应用覆晶互连技术的最常用的芯片封装结构包括诸如覆晶球栅格阵 列(Flip Chip Ball Grid Array)及覆晶针脚栅格阵列(Flip Chip Pin Grid Array) 等芯片封装结构。

覆晶互连技术采用这样一种方法，即通过在芯片的有源表面上设置多个焊 垫，并在这些焊垫上分别形成多个凸块，来界定区域阵列。接着，将芯片翻覆， 以分别连接芯片的焊接凸块与设置在诸如电路基板的承载器上的多个接触垫。 因此，芯片通过凸块电性连接并机械连接至承载器。另外，芯片可通过承载器 的内部电路电性连接至外部电子装置。通常，凸块具有若干种类型，例如焊料 凸块、金凸块、铜凸块、导电高分子凸块、高分子凸块等。

图1为具有高分子凸块的芯片封装结构的剖面示意图。请参考图1，芯片 封装结构100包括第一基板110、多个高分子凸块120、芯片130与焊料140。 第一基板110具有表面110a，在表面110a上设置有多个接触垫112。芯片130 具有有源表面130a，在有源表面130a上设置有多个焊垫132。由具有导电特性 的高分子材料制成的高分子凸块120分别设置在接触垫112与焊垫132之间， 以电性连接基板110与芯片130。由于高分子凸块120并不附着于接触垫112， 因此需要焊料140来将高分子凸块120固定在基板110上。焊料140的表面A 附着于接触垫112，且其表面B附着于高分子凸块120。因此，当芯片封装结 构受到外力或热应力(未图示)的作用时，焊料140会由接触垫112上脱离， 且高分子凸块120将不再电性连接至接触垫112。显然地，芯片封装结构100 的可靠度较低。

发明内容

本发明提供一种可靠度获得提升的芯片封装结构制程。

本发明提出一种芯片封装结构制程。首先，提供一具有多个第一焊垫的第 一基板及一具有多个第二焊垫的第二基板，并在第一基板的这些第一焊垫上形 成多个凸块。在第一基板上形成一第一二阶粘着层并将其B阶化(如预固化或 部分固化)以形成一第一B阶粘着层。在第二基板上形成一第二二阶粘着层并 将其B阶化以形成一第二B阶粘着层。接着，透过第一B阶粘着层与第二B 阶粘着层结合第一基板与第二基板，以使得各第一焊垫分别透过其中一凸块与 对应的第二焊垫电性连接。B阶化第一二阶粘着层与第二二阶粘着层的方法包 括加热(热固化)或紫外线固化。

在本发明的一实施例中，上述的第一基板与第二基板皆为芯片。

在本发明的一实施例中，上述的第一基板为一承载器且第二基板为一芯 片。

在本发明的一实施例中，上述的第一基板为一芯片且第二基板为一承载 器。

在本发明的一实施例中，上述的凸块为由打线制程形成的结线凸块或由电 镀制程形成的电镀凸块。这些凸块为金凸块、铜凸块或焊锡凸块。

在本发明的一实施例中，上述的第一二阶粘着层是由网板印刷、刷涂、喷 涂、旋涂或浸渍形成。

在本发明的一实施例中，上述的第二二阶粘着层是由网板印刷、刷涂、喷 涂、旋涂或浸渍形成。

在本发明的一实施例中，形成第一B阶粘着层的方法包括形成多个第一二 阶粘着块以围住这些凸块，以及B阶化(如预固化或部分固化)这些第一二阶 粘着块以形成多个第一B阶粘着块。

在本发明的一实施例中，形成第二B阶粘着层的方法包括在这些第二焊垫 上形成多个第二二阶粘着块，以及B阶化这些第二二阶粘着块以形成多个第二 B阶粘着块。

在本发明的一实施例中，上述的各第二B阶粘着块为一具有一开口的中空 块状体以分别暴露出其中一第二焊垫。在另一可行的实施例中，当第二B阶粘 着块为导电或非导电，第一B阶粘着层为导电。在另一实施例中，当第二B阶 粘着块为导电或非导电，第一B阶粘着层为非导电。一些导电粒子(如银粒子、 铜粒子及金粒子)被掺杂于第一B阶粘着层或第二B阶粘着层以使第一B阶 粘着层或第二B阶粘着层能导电。