[发明专利]芯片封装结构制程有效
| 申请号: | 200810214683.5 | 申请日: | 2008-08-29 |
| 公开(公告)号: | CN101625986A | 公开(公告)日: | 2010-01-13 |
| 发明(设计)人: | 沈更新;王伟 | 申请(专利权)人: | 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/56;H01L23/488;H01L23/31;H01L25/00 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陈 亮 |
| 地址: | 台湾省新竹科学*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 芯片 封装 结构 | ||
1.一种芯片封装结构制程,包括:
提供一具有多个第一焊垫的第一基板;
提供一具有多个第二焊垫的第二基板;
于该第一基板具有的该第一焊垫上形成多个凸块;
于该第一基板上形成一第一二阶粘着层;
B阶化该第一二阶粘着层以形成一第一B阶粘着层,其中形成该第一B阶 粘着层的方法包括:
形成多个第一二阶粘着块以围住该凸块;以及
B阶化该些第一二阶粘着块以形成多个第一B阶粘着块;
于该第二基板上形成一第二二阶粘着层;
B阶化该第二二阶粘着层以形成一第二B阶粘着层,其中该第一B阶粘着 层的玻璃转换温度高于或等于该第二B阶粘着层的玻璃转换温度,形成该第二 B阶粘着层的方法包括:
在该些第二焊垫上形成多个第二二阶粘着块;以及
B阶化该些第二二阶粘着块以形成多个第二B阶粘着块,其中该些第 二B阶粘着块完全覆盖该些第二焊垫;以及
透过该第一B阶粘着层与该第二B阶粘着层结合该第一基板与该第二基 板,以使得各该些第一焊垫分别透过其中一凸块与对应的第二焊垫电性连接。
2.如权利要求1所述的芯片封装结构制程,其特征在于,该第一基板与该 第二基板皆为芯片。
3.如权利要求1所述的芯片封装结构制程,其特征在于,该第一基板为一 承载器,且该第二基板为一芯片。
4.如权利要求1所述的芯片封装结构制程,其特征在于,该第一基板为一 芯片,且该第二基板为一承载器。
5.如权利要求1所述的芯片封装结构制程,其特征在于,该凸块为由打线 机形成的结线凸块或由电镀制程形成的电镀凸块。
6.如权利要求1所述的芯片封装结构制程,其特征在于,该第一二阶粘着 层与该第二二阶粘着层相继地被B阶化以形成该第一B阶粘着层与该第二B 阶粘着层。
7.如权利要求1所述的芯片封装结构制程,其特征在于,该第一二阶粘着 层与该第二二阶粘着层同时地被B阶化以形成该第一B阶粘着层与该第二B 阶粘着层。
8.如权利要求1所述的芯片封装结构制程,其特征在于,B阶化该第一二 阶粘着层与该第二二阶粘着层的方法包括加热固化或紫外线固化。
9.一种芯片封装结构制程,包括:
提供一具有多个第一焊垫的第一基板;
提供一具有多个第二焊垫的第二基板;
于该第一基板具有的该第一焊垫上形成多个凸块;
于该第一基板上形成一第一二阶粘着层;
B阶化该第一二阶粘着层以形成一第一B阶粘着层,其中形成该第一B阶 粘着层的方法包括:
形成多个第一二阶粘着块以围住该凸块;以及
B阶化该些第一二阶粘着块以形成多个第一B阶粘着块;
于该第二基板上形成一第二二阶粘着层;
B阶化该第二二阶粘着层以形成一第二B阶粘着层,其中该第一B阶粘着 层的玻璃转换温度高于或等于该第二B阶粘着层的玻璃转换温度,形成该第二 B阶粘着层的方法包括:
在该些第二焊垫上形成多个第二二阶粘着块;以及
B阶化该些第二二阶粘着块以形成多个第二B阶粘着块,其中各该些 第二B阶粘着块为一具有一开口的中空块状体以分别暴露出其中一第二焊 垫;以及
透过该第一B阶粘着层与该第二B阶粘着层结合该第一基板与该第二基 板,以使得各该些第一焊垫分别透过其中一凸块与对应的第二焊垫电性连接。
10.如权利要求9所述的芯片封装结构制程,其特征在于,该第一基板与该 第二基板皆为芯片。
11.如权利要求9所述的芯片封装结构制程,其特征在于,该第一基板为一 承载器,且该第二基板为一芯片。
12.如权利要求9所述的芯片封装结构制程,其特征在于,该第一基板为一 芯片,且该第二基板为一承载器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





