[发明专利]制造薄闭合磁头的方法

说明书

技术领域

本发明涉及磁头制造，更具体地，涉及制造薄闭合(closure)读/写磁 头的改良方法。

背景技术

诸如磁盘、盒式磁带以及盒式光盘的非易失性存储介质技术是公知的。 数据存储技术被不断地推进以增加存储容量和可靠性。减小的位尺寸已引 起诸如磁带的磁存储介质中的数据存储密度的增加。

因此，可以通过用于在磁存储介质上读取和写入数据的磁头组件中的 改进来部分地实现磁介质数据存储容量的改进。通过减小磁头的读和写元 件的特征尺寸，诸如通过使用薄膜制造技术，来构造磁头，使得在磁带上 有更多的数据磁道成为可能。

磁带沿着磁带路径穿过磁头组件的用于向磁带写入数据和从磁带读取 数据的写模块和读模块横向地传递。磁带记录的关键方面是在数据被记录 的同时读取数据的能力。在写入同时读取(read-while-write)时这种所谓 的读校验(read-verify)模式确保数据被正确地写入。如果发现错误，写 入会停止或数据会被重写。在写模块的写元件与读模块的读元件之间存在 间隙，被称为“间隙到间隙的距离(gap-to-gap distance)”。当磁带在写模 块与读模块之间穿过时，由于在穿过读模块和写模块之间的间隙时的磁带 歪斜，磁带可“误寻道(mistrack)”，其中对错误的数据磁道写或读数据。 减小读模块与写模块之间的间隙到间隙的距离已知可减少误寻道，且减少 读和写数据时的错误，并且可以提供较大的数据传输速率。

为了对磁带写和读数据以改善数据传输速率且减少误寻道，出现三模 块磁头组件。三模块磁头组件可以包括被一个读模块分离的两个写模块。 在三模块磁头组件中，读模块与写模块之间的间隙距离为二模块磁头组件 的间隙到间隙的距离的大约一半，而两个写模块之间的间隙约等于二模块 磁头组件的间隙到间隙的距离。三模块磁头组件的减小的间隙到间隙的距 离减少了由误寻道引起的数据读写错误并提高了性能可靠性。为了实现减 小的间隙到间隙的距离，需要现有技术中不存在的薄闭合(closure)。

为了降低读模块和写模块的读/写元件的磨损，将闭合接合到读和写磁 头。将相对薄的闭合接合到写模块的磁头还确保了在磁头组件的磁带支承 表面上的合适的磁带接触和降低的磁头磨损。

现有技术图1至图5示例了一种用于将闭合接合到芯片阵列的方法。 图1示例了从晶片(未示出)上切割下来的芯片200的小型嵌块 (mini-quad)。小型嵌块200包括一般以202示出的两个列，每一个列202 中具有芯片204的阵列。每个阵列204包括几个行206，每个行206包含 芯片208和辅助电路210。

每个芯片208可以包括几个读和写元件或器件(未示出)。例如，芯片 208可以包括16个读元件和/或16个写元件以及2个伺服元件。在本领域 中，芯片208还可以被称为“晶片芯片”或“芯片图像(chip image)”。 在本领域中，辅助电路210通常被称为电研磨向导(electrical lap guide， ELG)，且下文中被称为ELG。

在金属和非金属层的沉积中在公共衬底上形成芯片208和ELG210， 以形成小型嵌块200。例如，利用工艺诸如光刻结合蚀刻和剥离工艺，实 现芯片208和ELG210的构图。在形成芯片208和ELG210之后，从晶 片切下小型嵌块200。小型嵌块200的长度为约47mm，其中长度约为23mm 的每个列202包含芯片208和ELG210。

一旦形成小型嵌块200，就将闭合附接到行206。现有技术图2示出将 被接合到小型嵌块200的闭合阵列300。阵列300包括从顶部304向外延 伸的多个闭合条302。闭合阵列300包括已知的衬底材料，诸如氧化铝碳 化钛(Al₂O₃TiC)。

现有技术图3示例了如何将阵列300接合到小型嵌块200。图4示出 阵列300被接合到小型嵌块200。阵列300接合到小型嵌块200，从而将闭 合条302接合到小型嵌块200的每个行206。设置闭合302以保护磁换能 器208。