[发明专利]制造薄闭合磁头的方法

权利要求书

1.一种制造薄闭合磁头的方法，包括以下步骤：

提供芯片的阵列；

将闭合条附接到所述阵列；

将所述闭合条研磨至预定的厚度；

将侧板附接到所述阵列以形成列；以及

研磨所述侧板的一面。

2.根据权利要求1的方法，其中，在所述将闭合条附接到所述阵列的 步骤中，将所述阵列封闭为，使闭合条附接到所述阵列的每个行。

3.根据权利要求1的方法，其中，

每一个侧板的所述面中形成有多于一个的槽，以便在相邻槽之间形成 脊，在所述将侧板附接到所述阵列的步骤中，所述脊与每个闭合条对准； 并且

所述闭合条和所述侧板的所述面被研磨为，使所述脊与所述闭合条共 面。

4.根据权利要求1的方法，其中将所述闭合条研磨至小于250微米的 厚度。

5.根据权利要求4的方法，其中将所述闭合条研磨至小于100微米的 厚度。

6.一种制造磁头的列的方法，包括以下步骤：

在晶片衬底中形成沟道；

将磁性芯片的阵列设置在所述沟道中；

将所述阵列接合到所述晶片，以形成列；以及

将所述晶片的一面研磨至预定的厚度。

7.根据权利要求6的方法，其中，

所述晶片的所述面中形成有多于一个的槽，以便在相邻槽之间形成脊， 在所述将所述阵列接合到所述晶片的步骤中，所述脊被接合到所述阵列的 磁性芯片的行；并且

在将所述晶片的所述面研磨至预定的厚度的步骤中，将所述脊研磨至 预定的厚度。

8.根据权利要求7的方法，其中所述晶片的所述脊为所述阵列的每个 行提供一闭合条。

9.根据权利要求7的方法，其中将所述脊研磨至小于200微米的厚度。

10.根据权利要求7的方法，其中将所述脊研磨至小于75微米的厚度。

11.一种制造磁带磁头的列的方法，包括以下步骤：

提供芯片图像的阵列；

将闭合条接合到所述阵列的芯片图像的每个行；

研磨所述闭合条；

将侧板接合到所述芯片图像的阵列；以及

研磨所述侧板的脊，以使所述脊与所述闭合条共线。

12.根据权利要求11的方法，其中在将所述侧板接合到所述阵列之前， 将所述闭合条研磨至第一厚度。

13.根据权利要求11的方法，其中，

每一个所述侧板的一面中形成有多个槽，所述槽在相邻槽之间提供多 个脊，并且所述侧板的所述脊被研磨为，使所述脊与每个闭合条对准。

14.根据权利要求13的方法，其中在所述研磨所述侧板的脊的步骤中 还执行对所述闭合条的附加的研磨，以将所述闭合条和所述侧板的脊研磨 至预定的厚度。

15.根据权利要求14的方法，其中将所述闭合条研磨至小于200微米 的厚度。

16.根据权利要求14的方法，其中将所述闭合条研磨至小于100微米 的厚度。

17.根据权利要求14的方法，其中将所述闭合条研磨至小于75微米 的厚度。