[发明专利]高至低电压电位转换器无效

专利信息
申请号: 200810214470.2 申请日: 2008-08-28
公开(公告)号: CN101378257A 公开(公告)日: 2009-03-04
发明(设计)人: 康宗弘;陈忠伟 申请(专利权)人: 联发科技股份有限公司
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 任默闻
地址: 台湾省新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 高至低 电压 电位 转换器
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种高至低电压电位转换器,特别是有关于一种高速高至低电压电位转换器。

背景技术

当接收装置可能因为过高的输入信号电压电位而受损时,此接收信号的电压电位可由高电压电位转换至低电压电位。例如,当输入信号电压为5伏特,而接收装置仅能接受电压为3.3伏特的信号时。因此,需要一种高至低电压电位转换器用以转换输入信号的电压电位,例如将输入信号之电压电位由5伏特降至3.3伏特。

此外,集成电路所需的速度也需加快。因此,需要一种高速高至低电压电位转换器用以快速地转换传送于高电压单元与低电压单元之间的信号的电压电位。

发明内容

为解决以上存在的技术问题,特提供以下技术方案:

本发明揭示一种高至低电压电位转换器。包括高电压单元与低电压单元。高电压单元包括第一N型金属氧化物半导体晶体管与第二N型金属氧化物半导体晶体管。其中第一N型金属氧化物半导体晶体管具有栅极接收输入信号,输入信号位于高逻辑电位或者低逻辑电位;第二N型金属氧化物半导体晶体管具有栅极接收与输入信号反相的反相输入信号,漏极耦接至输出节点,其中第一N型金属氧化物半导体晶体管与第二N型金属氧化物半导体晶体管为输入/输出元件。低电压单元包括前馈电路与反馈电路。其中前馈电路用以根据第一N型金属氧化物半导体晶体管的漏极的电压电位提供输出信号至输出节点;以及反馈电路,用以根据输出信号修改第一N型金属氧化物半导体晶体管的漏极的电压电位,其中前馈电路与反馈电路是由第一供应电压所供应,其中第一供应电压的电压电位低于高逻辑电位的电压电位。

本发明揭示一种高至低电压电位转换器。包括输入节点、输出节点、高电压单元与低电压单元。其中高电压单元,耦接于输入节点与输出节点之间,其中高电压单元具有输入/输出元件用以当输入节点位于低逻辑电位时下拉输出节点的电压电位至接地电压;以及低电压单元,耦接于输入节点与输出节点之间,其中低电压单元具有核心元件,用以当输入节点位于高逻辑电位时上拉输出节点的电压电位至供应电压,并且供应电压低于高逻辑电位的电压电位。

本发明揭示一种高至低电压电位转换器。包括高电压单元以及低电压单元。高电压单元从输入节点接收输入信号,并且输出第一输出信号至输出节点,其中高电压单元是操作于第一供应电压与接地电压之间,并且输入信号是在第一供应电压与接地电压之间变化;以及低电压单元,耦接至高电压单元,用以在输出节点输出第二输出信号,其中低电压单元操作于第二供应电压与接地电压之间,并且第二输出信号是在第二供应电压与接地电压之间变化,其中第一输出信号与第二输出信号中的一个被输出至输出节点,并且第一供应电压高于第二供应电压。

实施本发明揭示的高至低电压电位转换器可在低供应电压的情形下快速地转换传送于高电压单元与低电压单元之间的信号的电压电位,也能提高电路的运作效率。

附图说明

图1是根据本发明第一实施例高至低电压电位转换器的电路示意图。

图2是根据本发明第二实施例高至低电压电位转换器的电路示意图。

图3是根据本发明第三实施例高至低电压电位转换器的电路示意图。

图4是根据本发明第四实施例高至低电压电位转换器的电路示意图。

图5是根据本发明第五实施例高至低电压电位转换器的电路示意图。

图6是根据本发明第六实施例高至低电压电位转换器的电路示意图。

图7是根据本发明第七实施例高至低电压电位转换器的电路示意图。

具体实施方式

为使本发明的制造、操作方法、目标和优点能更明显易懂,下文特举几个较佳实施例,并配合说明书附图,作详细说明如下:

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