[发明专利]高至低电压电位转换器

权利要求书

1.一种高至低电压电位转换器，其特征在于，所述高至低电压电位转换器包括：

高电压单元，其包括第一N型金属氧化物半导体晶体管和第二N型金属氧化物半导体晶体管，其中，第一N型金属氧化物半导体晶体管，具有栅极接收输入信号，其中所述输入信号位于高逻辑电位或者低逻辑电位；以及第二N型金属氧化物半导体晶体管，具有栅极接收与所述输入信号反相的反相输入信号，漏极耦接至输出节点，其中所述第一N型金属氧化物半导体晶体管与所述第二N型金属氧化物半导体晶体管为输入/输出元件；以及

低电压单元，其包括前馈电路和反馈电路，其中，前馈电路，用以根据所述第一N型金属氧化物半导体晶体管的漏极的电压电位提供输出信号至所述输出节点；以及反馈电路，用以根据所述输出信号修改所述第一N型金属氧化物半导体晶体管的所述漏极的电压电位，其中所述前馈电路与所述反馈电路是由第一供应电压所供应，其中所述第一供应电压的电压电位低于所述高逻辑电位的电压电位。

2.如权利要求1所述的高至低电压电位转换器，其特征在于，所述前馈电路与所述反馈电路均包括核心元件。

3.如权利要求1所述的高至低电压电位转换器，其特征在于，所述反馈电路包括反相器，所述反相器耦接于所述第一N型金属氧化物半导体晶体管的漏极与所述输出节点间。

4.如权利要求1所述的高至低电压电位转换器，其特征在于，所述反馈电路包括P型金属氧化物半导体晶体管，所述P型金属氧化物半导体晶体管具有耦接至所述第一供应电压的源极、耦接至所述输出节点的栅极、以及耦接至所述第一N型金属氧化物半导体晶体管的漏极的漏极。

5.如权利要求1所述的高至低电压电位转换器，其特征在于，所述前馈电路包括反相器，所述反相器耦接于所述第一N型金属氧化物半导体晶体管的漏极与所述输出节点间。

6.如权利要求1所述的高至低电压电位转换器，其特征在于，所述前馈电路包括P型金属氧化物半导体晶体管，所述P型金属氧化物半导体晶体管具有耦接至所述第一供应电压的源极、耦接至所述第一N型金属氧化物半导体晶体管的漏极的栅极、以及耦接至所述输出节点的漏极。

7.如权利要求1所述的高至低电压电位转换器，其特征在于，所述前馈电路为上拉电路。

8.如权利要求1所述的高至低电压电位转换器，其特征在于，所述高电压单元还包括反相器用以转换所述输入信号成为所述反相输入信号，并且所述反相器是由电压电位高于所述第一供应电压的第二供应电压来供应电压。

9.一种高至低电压电位转换器，其特征在于，所述高至低电压电位转换器包括：

输入节点；

输出节点；

高电压单元，其耦接于所述输入节点与所述输出节点之间，其中所述高电压单元具有输入/输出元件用以当所述输入节点位于低逻辑电位时下拉所述输出节点的电压电位至接地电压；以及

低电压单元，其耦接于所述输入节点与所述输出节点之间，其中所述低电压单元具有核心元件，用以当所述输入节点位于高逻辑电位时上拉所述输出节点的所述电压电位至供应电压，并且所述供应电压低于所述高逻辑电位的电压电位。

10.一种高至低电压电位转换器，其特征在于，所述高至低电压电位转换器包括：

高电压单元，从输入节点接收输入信号，并且输出第一输出信号至输出节点，其中所述高电压单元是操作于第一供应电压与接地电压之间，并且所述输入信号是在所述第一供应电压与所述接地电压之间变化；以及

低电压单元，其耦接至所述高电压单元，用以在所述输出节点输出第二输出信号，其中所述低电压单元操作于第二供应电压与所述接地电压之间，并且所述第二输出信号是在所述第二供应电压与所述接地电压之间变化，

其中所述第一输出信号与所述第二输出信号中的一个被输出至所述输出节点，并且所述第一供应电压高于所述第二供应电压。

11.如权利要求10所述的高至低电压电位转换器，其特征在于，当所述高电压单元接收到位于高逻辑电位的所述输入信号时，所述第二输出信号是输出至所述输出节点；当所述高电压单元接收到位于低逻辑电位的所述输入信号时，所述第一输出信号是输出至所述输出节点。