[发明专利]半导体封装件及其制造方法

说明书

本申请要求于2007年9月28日提交到韩国知识产权局的第10-2007-0098403号韩国专利申请的优先权，该申请的公开通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，更具体地讲，涉及一种半导体封装件及其制造方法。

背景技术

近来，已经增加了堆叠有多个封装件的层叠封装(PoP)产品的制造，以迎合对移动电子装置的微型化和期望的功能性的需求。传统地，执行一种功能的一个半导体封装件安装在每个移动电子装置中。另外，为了实现高容量及多功能的产品，例如，越来越多地制造通过堆叠执行不同功能的多个封装件、以一个封装件大小执行两种以上封装件功能的产品。

图1A至图1C是传统PoP结构的剖视图。更具体地讲，图1A是传统PoP结构的上封装件10a的剖视图，图1B是传统PoP结构的下封装件10b的剖视图。

参照图1A，在上封装件10a中，通过将粘合层(adhesion layer)13a设置在半导体芯片12a与基底11a之间而将一个以上的半导体芯片12a堆叠在基底11a上。半导体芯片12a通过键合布线14a电连接到基底11a。密封半导体芯片12a和键合布线14a的密封构件15a形成在基底11a的整个顶表面上。焊球16a形成在基底11a的底表面上，从而使基底11a电连接到上封装件10a外部的外部元件。

参照图1B，在下封装件10b中，通过将粘合层13b设置在半导体芯片12b与基底11b之间而将一个以上的半导体芯片12b堆叠在基底11b上。半导体芯片12b通过键合布线14b电连接到基底11b。密封半导体芯片12b和键合布线14b的密封构件15b形成在基底11b的顶表面上。如果半导体芯片12b的尺寸小，则密封构件15b不会覆盖基底11b的整个顶表面。焊球16b形成在基底11b的底表面上，从而使基底11b电连接到下封装件10b外部的外部元件。

图1C是传统PoP结构的剖视图。

参照图1C，上封装件10a堆叠在下封装件10b上。由于传统PoP的整体高度增大，所以将上封装件10a堆叠在下封装件10b上是不利的。通过使上封装件10a的焊球16a与下封装件10b的基底11b的顶表面接触，上封装件110a和下封装件110b彼此电连接。另外，下封装件110b的焊球116b可以电连接到外部元件。因此，由上封装件110a的位于下封装件110b的基底1111b上的焊球116a来支撑上封装件110a，因而，整体结构在结构方面较弱。即，由于外部撞击或外部重量，会导致在下封装件110b的基底1111b内发生裂纹或弯曲现象。

图2A是在传统PoP结构中产生的裂纹的电子显微镜图片，图2B是在传统PoP结构中的弯曲现象的拍摄图像。

参照图2A，该图表明由于外部撞击而导致在下封装件基底的A_1区域中出现裂纹。参照图2B，该图表明有外部撞击时在下封装件基底的A_2区域中出现弯曲。

为了防止基底出现裂纹和弯曲，可以增大下封装件的基底厚度，或者可以形成密封构件来覆盖下封装件基底的整个顶表面；然而，这些方法会增大整个传统PoP的整体高度，这是不期望的。

发明内容

为了解决上述和/或其他问题，本发明提供了一种整体高度减小的半导体封装件和一种制造该半导体封装件的方法，该半导体封装件可以防止下封装件的基底出现裂纹和弯曲。

根据本发明的一个方面，提供了一种半导体封装件，该半导体封装件包括第一封装件、第二封装件和连接单元，其中，第一封装件包括第一基底、堆叠在第一基底上的至少一个第一半导体芯片和暴露在第一基底的顶表面上的第一导电焊盘；第二封装件设置在第一封装件的下方，使得第二封装件包括第二基底、至少一个第二半导体芯片和暴露在第二基底的底表面上的第二导电焊盘；连接单元从第一导电焊盘延伸到第二导电焊盘，使得连接单元覆盖第一封装件的侧表面和第二封装件的侧表面，以将第一封装件电连接到第二封装件。

附图说明

通过参照附图来详细描述本发明的示例性实施例，本发明的上述和其他特征和优点将变得更加清楚，在附图中：

图1A是传统层叠封装(PoP)结构的上封装件的剖视图；

图1B是传统PoP结构的下封装件的剖视图；

图1C是传统PoP结构的剖视图；

图2A是在传统PoP结构中产生的裂纹的拍摄图像；

图2B是在传统PoP结构中的弯曲现象的拍摄图像；

图3A是根据本发明实施例的半导体封装结构的下封装件的剖视图；