[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

一衬底；

一非平面晶体管，位于该衬底上，该非平面晶体管包括位于一鳍之中的源极/漏极区域，该鳍包括多个表面；

一层间介电层，位于该非平面晶体管的上方；以及

多个接触元件，至少部分穿过该层间介电层，以形成与该源极/漏极区域的一电性接触，并接触该鳍的多个表面。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述多个接触元件与至少该鳍的三个表面接触。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述多个接触元件与至少该鳍的四个表面接触。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中该鳍还包括具有第一晶格常数的一第一区域与一第二区域，以及还包括具有第二晶格常数的一第三区域，该第三区域插入于该第一区域和该第二区域之间，该第一区域和该第二区域含有该源极/漏极区域。

5.如权利要求1所述的半导体装置，还包括一金属层，该金属层至少部分位于该源极/漏极区域和所述多个接触元件之间。

6.一种半导体装置，包括：

一衬底；

一导电区域，延伸于该衬底的上方，该导电区域具有朝向并远离该衬底的一上表面和多个侧壁；

一介电层，位于该导电区域的上方；以及

一接触元件，延伸穿过该介电层至该导电区域，该接触元件与该导电区域的上表面和至少两个侧壁接触。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其中该接触元件与至少该导电区域的三个侧壁接触。

8.如权利要求6所述的半导体装置，其中该导电区域包括一第一部分，一第二部分，和一第三部分，该第三部分插入该第一部分和该第二部分之间，该第三部分具有一不同于该第一部分和该第二部分的导电率，以及该介电层传递一应力于该第三部分上。

9.如权利要求6所述的半导体装置，其中该导电区域包括：

一第一部分，包括具有一第一晶格常数的一第一材料；

一第二部分，包括具有一第二晶格常数的一第二材料；以及

一第三部分，插入该第一部分和该第二部分之间，该第三部分包括具有不同于该第一晶格常数和该第二晶格常数的一第三晶格常数的一第三材料。

10.如权利要求6所述的半导体装置，还包括硅化物区域，位于该导电区域和该接触元件之间。

11.一种半导体装置，包括：

一衬底；

一鳍凸出部，位于该衬底上；

一层间介电层，位于该鳍的上方；以及

至少一个接触元件，穿过该层间介电层并与该鳍的多个表面接触。

12.如权利要求11所述的半导体装置，该接触元件与至少该鳍的四个表面接触。

13.如权利要求11所述的半导体装置，还包括一接触元件蚀刻停止层，位于该鳍的上方，其中该接触元件蚀刻停止层施加一应力于该鳍的一部分上。

14.如权利要求11所述的半导体装置，其中该鳍还包括：

一第一部分，包括具有一第一晶格常数的一第一材料；

一第二部分，邻接于该第一部分，该第二部分包括具有一第二晶格常数的一第二材料，该第二晶格常数不同于该第一晶格常数；以及

一第三部分，邻接于该第二部分且相对于该第一部分的位置，该第三部分包括具有一第三晶格常数的一第三材料。

15.如权利要求11所述的半导体装置，还包括一金属硅化物，至少部分位于该鳍与该接触元件之间。