[发明专利]控制对包括多级单元的闪存器件的回拷贝操作的方法

说明书

本专利申请是2006年5月29日提交中国专利局、申请号为 200610083603.8、发明名称为“控制包括多级单元的闪存器件的回拷贝操 作的方法”的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及闪存器件，具体涉及控制闪存器件的回拷贝操作的方法。

背景技术

一般地，闪存器件包括用于在短时间段内对大量的数据编程或读取的 页面缓冲器。因此，闪存器件的编程或读操作通过页面缓冲器逐页地执行。

最近，为进一步改善闪存器件的集成度，已开发了包括能够存储多位 数据的多级单元(MLC)的闪存器件。一般地，由于2-位数据可编程到MLC 中，因此一个MLC可以存储四个数据值即[11]、[10]、[00]和[01]中的任何 一个。MLC具有对应于所存储的数据([11]、[10]、[00]和[01]中的一个)的 阈电压(Vt1至Vt4中的一个)。

能够存储单位数据的储存单元一般称为单级单元(SLC)。包括这些 SLC的闪存器件基本支持回拷贝操作。

回拷贝操作包括在页面缓冲器中存储数据，该数据存储在源页面(即一 个地址)的储存单元中，并将存储的数据(改变或未改变)编程到目标页面(即 另一地址)的储存单元中。然而，包括MLC的闪存器件不支持回拷贝操作。

因此，在包括MLC的闪存器件中，将源页面的数据拷贝到所需目标 页面的一种方法是从源页面读数据，将所读取的数据存储在闪存器芯片外 部的存储单元中，然后将所存储的数据编程到目标页面中。另一方法是从 源页面读数据，将所读取的数据存储在芯片内的存储空间中，然后在目标 页面中对存储的数据进行编程。

然而，这些方法的问题在于它们效率低，因为除了页面缓冲器之外还 要求附加的存储空间并且目标页面的编程时间长。此外，如果附加的存储 空间设置在闪存器件中，则会出现问题，因为闪存器件的尺寸增加。

发明内容

本发明的实施例涉及一种控制对包括MLC的闪存器件的回拷贝操作 的方法，其中即使没有附加的存储空间仍然可以执行回拷贝操作，由此减 少了编程时间并且改善闪存器件的操作性能。

根据本发明的实施例，提供一种控制对包括连接到位线和字线的多个 MLC的闪存器件的回拷贝操作的方法，包括如下步骤：响应于第一低读控 制信号初始化低位寄存器；通过将第一和第二读电压依次地施加给多个 MLC中的源MLC所连接到的字线，从源MLC依次地读第一和第二低位 数据，并基于第一和第二低位数据将程序数据存储在低位寄存器中；确定 是否将修改该程序数据；如果确定将不修改该程序数据，则第一响应于第 一编程控制信号将该程序数据编程到多个MLC中的目标MLC中；如果确 定将修改该程序数据，则将经修改的程序数据存储在低位寄存器中；以及 响应于第一编程控制信号，第二将经修改的程序数据编程于目标MLC中。

根据本发明的另一实施例，提供一种控制对包括连接到位线和字线的 多个MLC的闪存器件的回拷贝操作的方法，包括如下步骤：响应于复位 控制信号初始化高位寄存器，并响应于第一低读控制信号初始化低位寄存 器；通过将第一读电压施加给多个MLC中的源MLC所连接到的字线，从 源MLC读高位数据，并基于所读的高位数据将第一高感测数据存储在高 位寄存器中；通过将第二读电压施加给多个MLC中的目标MLC所连接到 的字线，从目标MLC读低位数据，并基于所读的低位数据和第一高感测 数据将第一低编程禁止数据存储在低位寄存器中；基于第一高感测数据和 第一低编程禁止数据产生程序数据，并将该程序数据存储在高位寄存器中； 确定是否将修改该程序数据；如果确定将不修改该程序数据，则基于该程 序数据和第一低编程禁止数据产生第一最后程序数据，并第一将第一最后 程序数据编程到目标MLC中；如果确定将修改该程序数据，则将第二低 编程禁止数据存储在低位寄存器中，并将经修改的程序数据存储在高位寄 存器中；以及基于经修改的程序数据和第二低编程禁止数据产生第二最后 程序数据，第二，将第二最后程序数据编程到目标MLC中。

附图说明

结合附图参考下文的详细描述将会更好且更完整地理解本发明及其 许多随之而来的优点，在附图中相似的标号表示相同或相似的部件，其中：

图1是用于说明根据本发明实施例控制闪存器件回拷贝操作的方法的 储存单元阵列和页面缓冲器电路的电路图；