[发明专利]控制对包括多级单元的闪存器件的回拷贝操作的方法有效
申请号: | 200810212011.0 | 申请日: | 2006-05-29 |
公开(公告)号: | CN101373638A | 公开(公告)日: | 2009-02-25 |
发明(设计)人: | 成镇溶;元参规 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34;G11C11/56 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 杨林森;康建峰 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 控制 包括 多级 单元 闪存 器件 拷贝 操作 方法 | ||
1.一种控制对包括连接到位线和字线的多个多级单元的闪存器件的 回拷贝操作的方法,该方法包括如下步骤:
响应于复位控制信号初始化高位寄存器,并响应于第一低读控制信号 初始化低位寄存器;
通过将第一读电压施加给所述多个多级单元中的源多级单元所连接到 的字线,从所述源多级单元读高位数据,并基于所读的高位数据将第一高 感测数据存储在所述高位寄存器中;
通过将第二读电压施加给所述多个多级单元中的目标多级单元所连接 到的字线,从所述目标多级单元读低位数据,并基于所读的低位数据和所 述第一高感测数据将第一低编程禁止数据存储在所述低位寄存器中;
基于所述第一高感测数据和所述第一低编程禁止数据来产生程序数 据,并将所述程序数据存储在所述高位寄存器中;
确定是否将修改所述程序数据;
如果确定将不修改所述程序数据,则基于所述程序数据和所述第一低 编程禁止数据产生第一最后程序数据,并第一将所述第一最后程序数据编 程到所述目标多级单元中;
如果确定将修改所述程序数据,则将第二低编程禁止数据存储在所述 低位寄存器中,并将经修改的程序数据存储在所述高位寄存器中;以及
基于所述经修改的程序数据和所述第二低编程禁止数据来产生第二最 后程序数据,并第二将所述第二最后程序数据编程于所述目标多级单元中。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述第一读电压高于所述第二读电 压。
3.如权利要求1所述的方法,进一步包括如下步骤:
在所述第一编程之后,
通过将检验电压施加给所述目标多级单元所连接到的字线来确定是否 已经完成向所述目标多级单元中的编程;以及
重复地执行所述第一编程和所述施加检验电压直到完成向所述目标多 级单元中的编程,
其中在所述施加检验电压之后执行的所述第一编程中施加给所述目标 多级单元所连接到的字线的编程电压与在所述施加检验电压之前执行的所 述第一编程中施加给所述目标多级单元所连接到的字线的编程电压相比升 高了阶跃电压。
4.如权利要求3所述的方法,其中所述阶跃电压是0.3V或更小。
5.如权利要求1所述的方法,进一步包括如下步骤:
在所述第二编程之后,
通过将检验电压施加给所述目标多级单元所连接到的字线来确定是否 已经完成向所述目标多级单元中的编程;以及
重复地执行所述第二编程和所述施加检验电压直到完成向所述目标多 级单元中的编程,
其中在所述施加检验电压之后执行的所述第二编程中施加给所述目标 多级单元所连接到的字线的编程电压与在所述施加检验电压之前执行的所 述第二编程中施加给所述目标多级单元所连接到的字线的编程电压相比升 高了阶跃电压。
6.如权利要求5所述的方法,其中所述阶跃电压是0.3V或更小。
7.如权利要求1所述的方法,其中将所述第一高感测数据存储在所述 高位寄存器中的步骤包括如下步骤:
通过将所述第一读电压施加给所述源多级单元所连接到的字线,从所 述源多级单元读所述高位数据;
响应于第二低读控制信号感测所述高位数据,并将第一低感测数据存 储在所述低位寄存器中;
响应于第一编程控制信号通过感测节点将所述第一低感测数据传递给 所述高位寄存器;以及
响应于高读控制信号感测所述第一低感测数据,并将所感测的数据作 为所述第一高感测数据存储在所述高位寄存器中。
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