[发明专利]轴对称发光二极管的制造方法有效
| 申请号: | 200810211444.4 | 申请日: | 2008-09-22 |
| 公开(公告)号: | CN101685795A | 公开(公告)日: | 2010-03-31 |
| 发明(设计)人: | 陈明鸿;陈景宜 | 申请(专利权)人: | 海立尔股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿 宁;张华辉 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 轴对称 发光二极管 制造 方法 | ||
1.一种轴对称发光二极管的制造方法,其特征在于其包括以下步骤:
提供一基板,且该基板具有一轴心;以及
形成多数个发光区域,其以轴对称方式,以该轴心为中心,依同心圆方式排列形成于该基板上,且该基板上形成多数个沟槽,并在每一该沟槽上方覆盖有绝缘层,以使得每一该发光区域彼此相互绝缘,其中每一该发光区域至少具有一发光二极管,且每一该发光区域是利用导电材料将每一该发光二极管以串联或并联方式相互电性相连。
2.根据权利要求1所述的轴对称发光二极管的制造方法,其特征在于其中所述的发光区域为多数个圆形发光区域。
3.根据权利要求1所述的轴对称发光二极管的制造方法,其特征在于其中所述的发光区域进一步分割成多个等间距的梯形及三角形所组成的次发光区域,且每一该次发光区域中的该发光二极管数量相等。
4.根据权利要求3所述的轴对称发光二极管的制造方法,其特征在于其中所述的次发光区域为多数个非矩形次发光区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





